MOSFET ROHM, canale Tipo N 200 V, 2.7 mΩ Miglioramento, 10.7 A, 3 Pin, TO-263

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Codice RS:
249-1132
Codice costruttore:
RCJ451N20TL
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

10.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

RCJ451N20

Tipo di package

TO-263

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale N ROHM con bassa resistenza in stato attivo e commutazione rapida, adatto per applicazioni di commutazione, ha una tensione drain-source di 200 V e una corrente di drain di 45 A, con nastro del tipo a guarnizione.

Bassa resistenza in stato attivo

Elevata velocità di commutazione

Uso facile in parallelo

Placcatura senza piombo

Conforme RoHS

testato con effetto valanga al 100%

Semplificazione dei circuiti di pilotaggio

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