MOSFET ROHM, canale Tipo N 650 V, 2.7 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-220 R6530KNX3C16
- Codice RS:
- 249-1126
- Codice costruttore:
- R6530KNX3C16
- Costruttore:
- ROHM
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| 50 - 98 | 3,12 € | 6,24 € |
| 100 - 248 | 2,66 € | 5,32 € |
| 250 - 498 | 2,61 € | 5,22 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 249-1126
- Codice costruttore:
- R6530KNX3C16
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 30A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | R6530KNX3 | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.7mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 104W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 56nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 30A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie R6530KNX3 | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.7mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 104W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 56nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza con corrente di drain da 30 A, 650 V, canale N di commutazione ad alta velocità ROHM offre prodotti di commutazione ad alta velocità, MOSFET a super giunzione che pongono l'accento sull'elevata efficienza. Questi prodotti della serie raggiungono una maggiore efficienza tramite commutazione ad alta velocità, h.
Bassa resistenza in stato attivo
Commutazione ultra rapida
Uso facile in parallelo
Placcatura senza piombo
Conforme RoHS