MOSFET ROHM, canale N 650 V, 2.7 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante R6530KNX3C16

Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

6,82 €

(IVA esclusa)

8,32 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 74 unità in spedizione dal 05 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 483,41 €6,82 €
50 - 983,215 €6,43 €
100 - 2482,74 €5,48 €
250 - 4982,69 €5,38 €
500 +2,515 €5,03 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
249-1126
Codice costruttore:
R6530KNX3C16
Costruttore:
ROHM
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-220

Serie

R6530KNX3

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza con corrente di drain da 30 A, 650 V, canale N di commutazione ad alta velocità ROHM offre prodotti di commutazione ad alta velocità, MOSFET a super giunzione che pongono l'accento sull'elevata efficienza. Questi prodotti della serie raggiungono una maggiore efficienza tramite commutazione ad alta velocità, h.

Bassa resistenza in stato attivo

Commutazione ultra rapida

Uso facile in parallelo

Placcatura senza piombo

Conforme RoHS

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.