MOSFET di potenza Vishay, canale N 650 V, 80 mΩ Miglioramento, 35 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante
- Codice RS:
- 228-2875
- Codice costruttore:
- SiHP080N60E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 2 unità*
11,05 €
(IVA esclusa)
13,48 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 698 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,525 € | 11,05 € |
| 20 - 48 | 4,975 € | 9,95 € |
| 50 - 98 | 4,70 € | 9,40 € |
| 100 - 198 | 4,42 € | 8,84 € |
| 200 + | 4,09 € | 8,18 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 228-2875
- Codice costruttore:
- SiHP080N60E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 35A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | E | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 80mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 227W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 42nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 35A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Serie E | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 80mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 227W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 42nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua 35 A - SiHP080N60E-GE3
Questo MOSFET di potenza è un transistor di commutazione ad alta tensione a canale N progettato per applicazioni di potenza a foro passante in cui sono richieste prestazioni termiche ed elettriche robuste. Funziona in un'ampia gamma di ambienti, supporta attività di commutazione con carica di gate moderata e si monta in un contenitore TO-220AB per un dissipatore di calore e un assemblaggio semplici su schede convenzionali.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di drenaggio di 650 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La capacità di corrente continua di 35 A supporta correnti di carico consistenti
• Rds(on) di 80 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione durante il trasferimento di potenza
• La dissipazione massima di 227 W consente una gestione della potenza sostenuta
• La carica di gate tipica di 42 nC fornisce energia di commutazione prevedibile
• La tolleranza del gate di ±30 V consente ampi margini di tensione di azionamento
• La capacità di corrente continua di 35 A supporta correnti di carico consistenti
• Rds(on) di 80 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione durante il trasferimento di potenza
• La dissipazione massima di 227 W consente una gestione della potenza sostenuta
• La carica di gate tipica di 42 nC fornisce energia di commutazione prevedibile
• La tolleranza del gate di ±30 V consente ampi margini di tensione di azionamento
Applicazioni
• Adatto per circuiti SMPS e PFC derivati dalla rete
• Ideale per gli stadi dell'inverter di azionamento del motore industriale
• Utilizzato con convertitori CC-CC ad alta tensione nelle telecomunicazioni
• Può essere utilizzato per sistemi di illuminazione a commutazione e ballast
• Impiegato nei convertitori di carica delle batterie e di accumulo di energia
• Ideale per gli stadi dell'inverter di azionamento del motore industriale
• Utilizzato con convertitori CC-CC ad alta tensione nelle telecomunicazioni
• Può essere utilizzato per sistemi di illuminazione a commutazione e ballast
• Impiegato nei convertitori di carica delle batterie e di accumulo di energia
Quale intervallo termico può tollerare il dispositivo in ambienti difficili?
È classificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo il funzionamento in temperature industriali estreme.
In che modo il dispositivo è destinato a essere montato e raffreddato?
Il formato a foro passante TO-220AB consente l'attacco diretto del dissipatore per un'efficace gestione termica e progetti di alimentazione montati su scheda.
Quali limiti di azionamento del gate devono essere rispettati durante la progettazione?
La tensione gate-source non deve superare ±30 V per evitare lo stress da ossido gate e garantire una commutazione affidabile.
Il componente è adatto alle attività di commutazione del segnale a bassa tensione?
La sua tensione diretta di 1,2 V e la sua struttura orientata alla potenza lo rendono ottimizzato per la conversione di potenza ad alta tensione piuttosto che per la commutazione del segnale a bassa tensione.
Link consigliati
- MOSFET di potenza Vishay 80 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Vishay 0.078 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante SIHP074N65E-GE3
- MOSFET di potenza Vishay 193 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET di potenza Vishay 700 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET di potenza Vishay 88 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Vishay 0.115 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante SIHP110N65SF-GE3
- MOSFET Vishay 0.158 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante SIHP150N60E-GE3
- MOSFET Vishay 0.084 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante SIHP085N60EF-GE3