MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 650 V, 80 mΩ Miglioramento, 35 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante
- Codice RS:
- 228-2875
- Codice costruttore:
- SiHP080N60E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 228-2875
- Codice costruttore:
- SiHP080N60E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
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Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 35A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | E | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 80mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 42nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 227W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 35A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie E | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 80mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 42nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 227W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua massima 35 A - SiHP080N60E-GE3
Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per la conversione e il controllo della potenza nei sistemi industriali ed elettronici. Funziona come transistor in modalità di potenziamento in un contenitore TO-220 a foro passante, consentendo un montaggio robusto e dissipazione di calore per le applicazioni più impegnative. Il dispositivo è adatto per circuiti che richiedono un'elevata gestione della tensione di drenaggio-sorgente e una significativa capacità di corrente continua.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di 650 V consente la gestione di guide di alimentazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 35 A supporta correnti di carico sostanziali • L'Rds(on) di 80 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione durante la commutazione • La carica di gate tipica di 42 nC riduce i requisiti energetici del driver • La dissipazione di potenza di 227 W consente un carico termico sostenuto • La temperatura di giunzione massima di 150 °C consente il funzionamento ad alta temperatura
Applicazioni
• Adatto per convertitori CC-CC ad alta tensione negli alimentatori industriali • Ideale per i front-end di azionamento del motore che richiedono robusti elementi di commutazione • Utilizzato per gli stadi inverter in sistemi rinnovabili di media potenza • Può essere utilizzato per le fasi di correzione del fattore di potenza nelle apparecchiature commerciali • Utilizzato con progetti di commutazione discreti che richiedono un montaggio a foro passante
Quali considerazioni sull'azionamento del gate devo accettare?
Aspettatevi una carica di gate tipica di 42 nC all'azionamento del gate specificato, pertanto selezionate un driver in grado di generare e assorbire la corrente di picco richiesta per soddisfare gli obiettivi di velocità di commutazione.
Come deve essere applicata la gestione termica in un progetto?
Utilizzare un dissipatore di calore adatto collegato alla linguetta TO-220 e considerare la dissipazione di potenza nominale di 227 W in condizioni termiche definite per mantenere la temperatura di giunzione al di sotto del limite di 150 °C.
Quali sono i vincoli di polarità e montaggio per l'integrazione su circuito stampato?
Il dispositivo è un dispositivo di potenziamento a canale N con tre pin in una disposizione a foro passante TO-220, che consente un fissaggio meccanico sicuro e un accoppiamento termico diretto a un telaio o a un dissipatore.
Esistono limiti per la tensione del gate durante il funzionamento?
La tensione gate-sorgente massima consentita è di 30 V, pertanto i circuiti di azionamento gate devono essere progettati per rimanere entro questa soglia per evitare lo stress del dispositivo.
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