MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.121 Ω N, 28 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Montaggio superficiale SIHK135N65S-T1-GE3

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Codice RS:
878-898
Codice costruttore:
SIHK135N65S-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

28A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PowerPAK 10 x 12

Serie

S

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.121Ω

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

51nC

Tensione diretta Vf

1.4V

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza Vishay è progettato per gestire in modo efficiente la commutazione e la conduzione, il che lo rende un componente essenziale per varie applicazioni di alimentazione.

Tecnologia della serie SF di ultima generazione, che garantisce prestazioni ottimali

Basso valore di merito (FOM) per una maggiore efficienza energetica

Classificato per l'energia a valanga, offre una maggiore affidabilità sotto sforzo

Capacità di energia a valanga a impulsi singoli, per soddisfare le applicazioni più impegnative

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