MOSFET Vishay, canale Canale N 650 V, 0.059 Ω Miglioramento, 34 A, 4 Pin, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

6,83 €

(IVA esclusa)

8,33 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 19 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
1 - 96,83 €
10 - 494,22 €
50 - 993,28 €
100 +2,41 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
735-156
Codice costruttore:
SiHH068N60E
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

34A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Serie

SiH

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.059Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

53nC

Dissipazione di potenza massima Pd

202W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10V

Tensione diretta Vf

600V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

8mm

Altezza

1mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

8mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 60 V, ottimizzato per la commutazione ad alta efficienza nei convertitori CC/CC per server di potenza AI e nei circuiti di rettifica sincrona. Raggiunge una resistenza di accensione molto bassa di 1,7 mΩ massimo a 10 V di gate drive per perdite di conduzione minime in applicazioni ad alta corrente

Corrente di drenaggio continua di 94 A a TA=25 °C

Carica totale gate tipica di 54,3 nC per una commutazione rapida

Intervallo di temperatura di giunzione esteso da -55 °C a +175 °C

Link consigliati