MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.059 Ω Miglioramento, 34 A, 4 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SIHH068N60E-T1-GE3

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Codice RS:
735-156
Codice costruttore:
SIHH068N60E-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

34A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

SiH

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.059Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

53nC

Tensione diretta Vf

600V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

202W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

8mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

8mm

Altezza

1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 60 V, ottimizzato per la commutazione ad alta efficienza nei convertitori CC/CC per server di potenza AI e nei circuiti di rettifica sincrona. Raggiunge una resistenza di accensione molto bassa di 1,7 mΩ massimo a 10 V di gate drive per perdite di conduzione minime in applicazioni ad alta corrente

Corrente di drenaggio continua di 94 A a TA=25 °C

Carica totale gate tipica di 54,3 nC per una commutazione rapida

Intervallo di temperatura di giunzione esteso da -55 °C a +175 °C

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