MOSFET Vishay, canale Canale N 650 V, 0.061 Ω Miglioramento, 36 A, 4 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SiHH070N60EF
- Codice RS:
- 735-160
- Codice costruttore:
- SIHH070N60EF-T1GE3
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 unità*
7,15 €
(IVA esclusa)
8,72 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 3000 unità in spedizione dal 31 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 7,15 € |
| 10 - 49 | 4,43 € |
| 50 - 99 | 3,43 € |
| 100 + | 2,53 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 735-160
- Codice costruttore:
- SIHH070N60EF-T1GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 36A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | SiH | |
| Tipo di package | PowerPAK SO-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.061Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 50nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 202W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Tensione diretta Vf | 600V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 8mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Lunghezza | 8mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 36A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie SiH | ||
Tipo di package PowerPAK SO-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.061Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 50nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 202W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Tensione diretta Vf 600V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 8mm | ||
Altezza 1mm | ||
Lunghezza 8mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- IL
Il MOSFET a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 60 V, ottimizzato per la commutazione ad alta efficienza nei convertitori CC/CC per server di potenza AI e nei circuiti di rettifica sincrona. Raggiunge una resistenza di accensione molto bassa di 1,7 mΩ massimo a 10 V di gate drive per perdite di conduzione minime in applicazioni ad alta corrente
Corrente di drenaggio continua di 94 A a TA=25 °C
Carica totale gate tipica di 54,3 nC per una commutazione rapida
Intervallo di temperatura di giunzione esteso da -55 °C a +175 °C
Link consigliati
- MOSFET Vishay 71 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie SIHH070N60EF-T1GE3
- MOSFET Vishay 0.043 Ω Miglioramento 4 Pin Superficie SiHK045N60E
- MOSFET Vishay 0.059 Ω Miglioramento 4 Pin Superficie SiHH068N60E
- MOSFET Vishay 0.061 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie SiHK075N60EF
- MOSFET di potenza Vishay 0.061 Ω Depletion 8 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 0.158 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie SIHA150N60E-GE3
- MOSFET Vishay 0.0036 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie SiDR510EP
- MOSFET Vishay 0.0025 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie SiRS5100DP