MOSFET Vishay, canale N 650 V, 71 mΩ Miglioramento, 36 A, 5 Pin, PowerPAK 8 x 8, Superficie SIHH070N60EF-T1GE3

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Codice RS:
200-6830
Codice costruttore:
SIHH070N60EF-T1GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

36A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

EF

Tipo di package

PowerPAK 8 x 8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

71mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

202W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

75nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

8.1mm

Larghezza

1.05mm

Lunghezza

8.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il Vishay SIHH070N60EF-T1GE3 è un MOSFET di potenza serie EF con diodo a corpo rapido.

Tecnologia della serie e di 4th generazione

Bassa figura di merito

Bassa capacità effettiva

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)

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