MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 125 mΩ Miglioramento, 23 A, 4 Pin, PowerPAK 8 x 8, Superficie SIHH125N60EF-T1GE3

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

9234,00 €

(IVA esclusa)

11.265,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 01 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +3,078 €9.234,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
200-6809
Codice costruttore:
SIHH125N60EF-T1GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

23A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

EF

Tipo di package

PowerPAK 8 x 8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

156W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

47nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.05 mm

Altezza

8.1mm

Lunghezza

8.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il Vishay SIHH125N60EF-T1GE3 è un MOSFET di potenza serie EF con diodo a corpo rapido.

Tecnologia della serie e di 4th generazione

Bassa figura di merito

Bassa capacità effettiva

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)

Link consigliati