MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.25 Ω Miglioramento, 13 A, 4 Pin, PowerPAK 8 x 8, Superficie SIHH250N60EF-T1GE3

Codice RS:: 268-8302
Codice costruttore:: SIHH250N60EF-T1GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.25 Ω Miglioramento, 13 A, 4 Pin, PowerPAK 8 x 8, Superficie SIHH250N60EF-T1GE3

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Codice RS:: 268-8302
Codice costruttore:: SIHH250N60EF-T1GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	13A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	PowerPAK 8 x 8
	Serie	SIHH
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.25Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	89W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	23nC
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	8mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 13A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package PowerPAK 8 x 8
	Serie SIHH
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.25Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 89W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 23nC
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 8mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - SIHH250N60EF-T1GE3

Paese di origine:: TW

MOSFET serie SIHH di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua 13 A - SIHH250N60EF-T1GE3

Questo MOSFET è un dispositivo di commutazione ad alta tensione progettato per applicazioni di conversione di potenza e controllo in cui è richiesto un montaggio superficiale compatto. Funziona come transistor a canale N in modalità di potenziamento ed è progettato per gestire tensioni e correnti elevate in ambienti termici impegnativi, pur essendo conforme alle restrizioni RoHS.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale di 650 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione
• La corrente continua da 13 A supporta l'azionamento di carichi consistenti
• Rds(on) di 0.25 Ω riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione di potenza 89 W consente prestazioni termiche sostenute
• La carica di gate tipica di 23 nC consente transizioni di gate a velocità moderata
• La Vgs massima di 30 V garantisce un robusto margine di azionamento del gate

Applicazioni

• Adatto per alimentatori switching offline
• Ideale per le fasi di azionamento del motore ad alta tensione
• Utilizzato con driver gate isolati nei convertitori di potenza
• Può essere utilizzato per topologie a commutazione morbida e a risonanza
• Adatto per moduli di gestione dell'alimentazione industriale

Quali temperature estreme può tollerare durante il funzionamento?

È specificato per funzionare in un'ampia gamma di temperature da -55 °C a 150 °C per l'uso in condizioni termiche difficili.

Quale contenitore e metodo di montaggio sono disponibili per assemblaggi compatti?

È fornito in un contenitore PowerPAK 8x8 progettato per il posizionamento a montaggio superficiale per risparmiare area sulla scheda e migliorare la conduzione termica.

In che modo la tensione diretta del dispositivo influisce sulla conduzione corpo-diodo?

La tensione diretta di 1,2 V indica la tipica caduta di tensione attraverso il diodo intrinseco durante la conduzione inversa, influenzando i calcoli di perdita nella rettifica sincrona o nei percorsi di rotazione libera.

Quale configurazione dei pin è disponibile per l'integrazione del circuito?

Il componente espone quattro pin, facilitando i collegamenti separati per la disposizione della sorgente, del drenaggio, del gate e della linguetta o del pad termico durante il layout del circuito stampato.