MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.25 Ω Miglioramento, 13 A, 4 Pin, PowerPAK 8 x 8, Superficie SIHH250N60EF-T1GE3

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Codice RS:
268-8302
Codice costruttore:
SIHH250N60EF-T1GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

13A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

SIHH

Tipo di package

PowerPAK 8 x 8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.25Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

89W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

8mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TW
MOSFET di potenza Vishay con diodo corpo rapido e tecnologia serie E di 4a generazione. Ha una riduzione delle perdite di commutazione e di conduzione ed è utilizzato in applicazioni come gli alimentatori switching, gli alimentatori per server e gli alimentatori per telecomunicazioni.

Bassa capacità effettiva

Energia nominale a valanga

Bassa cifra di merito

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