MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.085 Ω Miglioramento, 30 A, 4 Pin, PowerPAK 8 x 8, Superficie SIHH085N60EF-T1GE3

Codice RS:: 268-8300
Codice costruttore:: SIHH085N60EF-T1GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.085 Ω Miglioramento, 30 A, 4 Pin, PowerPAK 8 x 8, Superficie SIHH085N60EF-T1GE3

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

11.544,00 €

(IVA esclusa)

14.085,00 €

(IVA inclusa)

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Unità	Per unità	Per bobina*
3000 +	3,848 €	11.544,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 268-8300
Codice costruttore:: SIHH085N60EF-T1GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	30A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	PowerPAK 8 x 8
	Serie	SIHH
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.085Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	184W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	63nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Lunghezza	8mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 30A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package PowerPAK 8 x 8
	Serie SIHH
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.085Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 184W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 63nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Lunghezza 8mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - SIHH085N60EF-T1GE3

Paese di origine:: TW

MOSFET serie SIHH di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio 30 A - SIHH085N60EF-T1GE3

Questo MOSFET a canale n è un dispositivo di commutazione ad alta tensione progettato per l'uso in sistemi di conversione di potenza e controllo in ambienti industriali e di automazione. Funziona in un'ampia gamma di temperature ed è progettato per assemblaggi a montaggio superficiale in cui sono richieste una robusta gestione ad alta tensione e una commutazione efficiente.

Caratteristiche e vantaggi:

• Valore nominale di drenaggio 650 V che consente la capacità di commutazione ad alta tensione • Corrente di drenaggio continua di 30 A che supporta il funzionamento a carico sostenuto • Rds(on) di 0,085 Ω che riduce le perdite di conduzione nei percorsi di potenza • Carica gate tipica di 63 nC che consente prestazioni di commutazione prevedibili • Dissipazione di potenza 184 W per una gestione del carico termico elevato • temperatura di giunzione massima di 150 °C per l'uso a temperature elevate

Applicazioni

• Adatto per inverter industriali che richiedono dispositivi ad alta tensione • Utilizzato per alimentatori in apparecchiature di automazione con elevate esigenze di commutazione • Ideale per i convertitori di commutazione che gestiscono una dissipazione di potenza significativa • Può essere utilizzato per la sostituzione di relè ad alta tensione nei pannelli di controllo elettrici

Quale stile di montaggio richiede su una scheda?

È fornito in un contenitore a montaggio superficiale PowerPAK 8x8 che richiede modelli di saldatura compatibili per il collegamento termico ed elettrico.

In che modo il limite di tensione del gate influisce sui circuiti di controllo?

Il gate deve essere azionato entro ±30 V per evitare la tensione dielettrica del gate, pertanto i driver gate devono fornire margini di tensione e protezione adeguati.

Quali sono le condizioni termiche da considerare durante la progettazione?

Con una dissipazione nominale di 184 W e una temperatura d'esercizio massima di 150 °C, è necessaria una gestione termica come la diffusione del calore e un'adeguata rame per circuito stampato per mantenere temperature di giunzione sicure.

Quale complessità di configurazione dei pin devono aspettarsi i progettisti?

Il dispositivo è dotato di quattro pin, che richiedono l'assegnazione corretta nel layout per garantire collegamenti a bassa induttanza per le funzioni di drain, source e gate.