MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.085 Ω Miglioramento, 30 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Montaggio su circuito stampato

Codice RS:: 268-8306
Codice costruttore:: SIHK085N60EF-T1GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.085 Ω Miglioramento, 30 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Montaggio su circuito stampato

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

7714,00 €

(IVA esclusa)

9412,00 €

(IVA inclusa)

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Unità	Per unità	Per bobina*
2000 +	3,857 €	7.714,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 268-8306
Codice costruttore:: SIHK085N60EF-T1GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	30A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	PowerPAK 10 x 12
	Serie	SIHK
	Tipo montaggio	Montaggio su circuito stampato
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.085Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	63nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	184W
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Lunghezza	9.9mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 30A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package PowerPAK 10 x 12
	Serie SIHK
	Tipo montaggio Montaggio su circuito stampato
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.085Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 63nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 184W
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Lunghezza 9.9mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - SIHK085N60EF-T1GE3

Paese di origine:: CN

MOSFET serie SIHK Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 650 V, corrente di drenaggio continua massima 30 A - SIHK085N60EF-T1GE3

Questo MOSFET è un dispositivo di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per la conversione di potenza e il controllo nell'elettronica industriale. Funziona come transistor in modalità di potenziamento adatto per il montaggio su circuito stampato ed è progettato per applicazioni impegnative che richiedono una robusta tolleranza termica e una gestione della corrente sostanziale.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale di 650 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 30 A supporta carichi pesanti • L'Rds(on) di 0,085 Ω riduce le perdite di conduzione alla commutazione • La carica gate tipica 63 nC consente una progettazione gate-drive prevedibile • La dissipazione di potenza di 184 W consente un flusso di calore significativo • La temperatura di giunzione massima di 150 °C supporta il funzionamento ad alta temperatura

Applicazioni

• Adatto per convertitori CC-CC ad alta tensione nei sistemi di automazione • Ideale per i front-end di azionamento del motore che richiedono un'elevata corrente • Utilizzato per alimentatori switching nell'elettronica industriale • Può essere utilizzato per gli stadi inverter nelle apparecchiature di controllo della potenza

Quali sono i vincoli del gate-drive da considerare per l'uso?

Il dispositivo tollera tensioni di gate fino a 30 V e presenta una carica di gate totale tipica di 63 nC, pertanto i driver devono fornire una carica e un controllo di slittamento sufficienti entro questo limite di tensione.

Come deve essere disposta la gestione termica sul circuito stampato?

Con una dissipazione massima di 184 W e un'elevata capacità di giunzione, fornisce un'area di rame sostanziale, vie termiche e un modello di attacco del dissipatore per mantenere temperature d'esercizio sicure.

Quale intervallo di temperatura ambiente tollera durante il funzionamento?

Funziona fino a -55 °C e fino a un massimo di 150 °C, consentendo l'implementazione in ampi scenari ambientali e a giunzione rialzata.

Quale approccio di montaggio è necessario per un assemblaggio affidabile?

La parte è destinata al montaggio su circuito stampato in un contenitore PowerPAK 10 x 12 con un'interfaccia a 8 pin, pertanto è necessario utilizzare processi di saldatura standard per i contenitori di potenza.