MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.085 Ω Miglioramento, 30 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Montaggio su circuito stampato

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

7714,00 €

(IVA esclusa)

9412,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 2000 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per bobina*
2000 +3,857 €7.714,00 €

*prezzo indicativo

Alternativa

Prodotto al momento non disponibile. Ti suggeriamo la seguente alternativa.

presentation
MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.085 Ω Miglioramento, 30 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Montaggio su circuito stampato
Codice RS
268-8307

Unità

9,87 €

(IVA esclusa)

12,04 €

(IVA inclusa)

Codice RS:
268-8306
Codice costruttore:
SIHK085N60EF-T1GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PowerPAK 10 x 12

Serie

SIHK

Tipo montaggio

Montaggio su circuito stampato

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.085Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Dissipazione di potenza massima Pd

184W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

9.9mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET serie SIHK Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 650 V, corrente di drenaggio continua massima 30 A - SIHK085N60EF-T1GE3


Questo MOSFET è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per la conversione di potenza e le applicazioni di commutazione in cui sono richieste tensione elevata e resistenza termica. Si tratta di un dispositivo di potenziamento a canale N montato su circuito stampato, ottimizzato per circuiti ad alta tensione e corrente media in ambienti termici impegnativi. Il componente è conforme alle direttive RoHS ed è destinato agli ingegneri che desiderano specificare robusti transistor di potenza discreti per progetti industriali ed elettronici di potenza.

Caratteristiche e vantaggi:


• La tensione di drenaggio massima di 650 V fornisce un'ampia portata ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 30 A supporta correnti di carico sostanziali
• Rds(on) di 0,085 Ω riduce le perdite di conduzione nei percorsi di potenza
• La dissipazione di potenza massima di 184 W consente un funzionamento ad alta potenza prolungato
• La carica di gate tipica di 63 nC consente requisiti di azionamento di commutazione prevedibili
• Il limite gate-source ±30 V protegge il margine gate-drive durante i transienti

Applicazioni


• Adatto per convertitori CC-CC ad alta tensione in sistemi industriali
• Utilizzato per interruttori a gamba di fase negli stadi inverter per azionamento motore
• Ideale per gli interruttori lato primario nelle topologie SMPS
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico nei sistemi di gestione della batteria
• Utilizzato con stadi di potenza discreti che richiedono una densità di contenitore compatta

Quali temperature estreme può tollerare il dispositivo durante il funzionamento?


È specificato per funzionare in un'ampia gamma da -55 °C a 150 °C, coprendo avviamenti a bassa temperatura e condizioni di giunzione elevate.

Quale tipo di contenitore devo aspettarmi per l'assemblaggio del circuito stampato e la gestione termica?


È fornito in un contenitore PowerPAK 10x12 ottimizzato per il montaggio su circuito stampato per facilitare la diffusione del calore e i layout a bassa induttanza.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono implicate dal valore di carica del gate?


La carica gate tipica di 63 nC richiede un driver in grado di generare e assorbire una corrente sufficiente per soddisfare le velocità di commutazione desiderate, gestendo al contempo le perdite di commutazione.

In che modo la configurazione dei canali influisce sulle scelte di progettazione dei circuiti?


Essendo un dispositivo di potenziamento a canale N, richiede un'adeguata polarità del gate drive ed è generalmente utilizzato sul lato basso o come interruttore lato alto con spostamento di livello.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.