MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.085 Ω Miglioramento, 30 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Montaggio su circuito stampato

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
268-8307
Codice costruttore:
SIHK085N60EF-T1GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

SIHK

Tipo di package

PowerPAK 10 x 12

Tipo montaggio

Montaggio su circuito stampato

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.085Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

184W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

9.9mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza serie EF Vishay con diodo corpo rapido e tecnologia serie E di 4 generazioni che riduce le perdite di commutazione e di conduzione ed è utilizzato in applicazioni quali alimentatori switching, alimentatori per server e fattore di potenza corretto

Bassa capacità effettiva

Energia nominale a valanga

Bassa cifra di merito

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