MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.085 Ω Miglioramento, 30 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Montaggio su circuito stampato

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
268-8307
Codice costruttore:
SIHK085N60EF-T1GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PowerPAK 10 x 12

Serie

SIHK

Tipo montaggio

Montaggio su circuito stampato

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.085Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

184W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

9.9mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET serie SIHK Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 650 V, corrente di drenaggio continua massima 30 A - SIHK085N60EF-T1GE3


Questo MOSFET è un dispositivo di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per la conversione di potenza e il controllo nell'elettronica industriale. Funziona come transistor in modalità di potenziamento adatto per il montaggio su circuito stampato ed è progettato per applicazioni impegnative che richiedono una robusta tolleranza termica e una gestione della corrente sostanziale.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di 650 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 30 A supporta carichi pesanti • L'Rds(on) di 0,085 Ω riduce le perdite di conduzione alla commutazione • La carica gate tipica 63 nC consente una progettazione gate-drive prevedibile • La dissipazione di potenza di 184 W consente un flusso di calore significativo • La temperatura di giunzione massima di 150 °C supporta il funzionamento ad alta temperatura

Applicazioni


• Adatto per convertitori CC-CC ad alta tensione nei sistemi di automazione • Ideale per i front-end di azionamento del motore che richiedono un'elevata corrente • Utilizzato per alimentatori switching nell'elettronica industriale • Può essere utilizzato per gli stadi inverter nelle apparecchiature di controllo della potenza

Quali sono i vincoli del gate-drive da considerare per l'uso?


Il dispositivo tollera tensioni di gate fino a 30 V e presenta una carica di gate totale tipica di 63 nC, pertanto i driver devono fornire una carica e un controllo di slittamento sufficienti entro questo limite di tensione.

Come deve essere disposta la gestione termica sul circuito stampato?


Con una dissipazione massima di 184 W e un'elevata capacità di giunzione, fornisce un'area di rame sostanziale, vie termiche e un modello di attacco del dissipatore per mantenere temperature d'esercizio sicure.

Quale intervallo di temperatura ambiente tollera durante il funzionamento?


Funziona fino a -55 °C e fino a un massimo di 150 °C, consentendo l'implementazione in ampi scenari ambientali e a giunzione rialzata.

Quale approccio di montaggio è necessario per un assemblaggio affidabile?


La parte è destinata al montaggio su circuito stampato in un contenitore PowerPAK 10 x 12 con un'interfaccia a 8 pin, pertanto è necessario utilizzare processi di saldatura standard per i contenitori di potenza.

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