MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.085 Ω Miglioramento, 30 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Montaggio su circuito stampato
- Codice RS:
- 268-8307
- Codice costruttore:
- SIHK085N60EF-T1GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice costruttore:
- SIHK085N60EF-T1GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 30A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | SIHK | |
| Tipo di package | PowerPAK 10 x 12 | |
| Tipo montaggio | Montaggio su circuito stampato | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.085Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 63nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 184W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 9.9mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 30A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie SIHK | ||
Tipo di package PowerPAK 10 x 12 | ||
Tipo montaggio Montaggio su circuito stampato | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.085Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 63nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 184W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 9.9mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET serie SIHK Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 650 V, corrente di drenaggio continua massima 30 A - SIHK085N60EF-T1GE3
Questo MOSFET è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per la conversione di potenza e le applicazioni di commutazione in cui sono richieste tensione elevata e resistenza termica. Si tratta di un dispositivo di potenziamento a canale N montato su circuito stampato, ottimizzato per circuiti ad alta tensione e corrente media in ambienti termici impegnativi. Il componente è conforme alle direttive RoHS ed è destinato agli ingegneri che desiderano specificare robusti transistor di potenza discreti per progetti industriali ed elettronici di potenza.
Caratteristiche e vantaggi:
• La tensione di drenaggio massima di 650 V fornisce un'ampia portata ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 30 A supporta correnti di carico sostanziali
• Rds(on) di 0,085 Ω riduce le perdite di conduzione nei percorsi di potenza
• La dissipazione di potenza massima di 184 W consente un funzionamento ad alta potenza prolungato
• La carica di gate tipica di 63 nC consente requisiti di azionamento di commutazione prevedibili
• Il limite gate-source ±30 V protegge il margine gate-drive durante i transienti
• La corrente di drenaggio continua di 30 A supporta correnti di carico sostanziali
• Rds(on) di 0,085 Ω riduce le perdite di conduzione nei percorsi di potenza
• La dissipazione di potenza massima di 184 W consente un funzionamento ad alta potenza prolungato
• La carica di gate tipica di 63 nC consente requisiti di azionamento di commutazione prevedibili
• Il limite gate-source ±30 V protegge il margine gate-drive durante i transienti
Applicazioni
• Adatto per convertitori CC-CC ad alta tensione in sistemi industriali
• Utilizzato per interruttori a gamba di fase negli stadi inverter per azionamento motore
• Ideale per gli interruttori lato primario nelle topologie SMPS
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico nei sistemi di gestione della batteria
• Utilizzato con stadi di potenza discreti che richiedono una densità di contenitore compatta
• Utilizzato per interruttori a gamba di fase negli stadi inverter per azionamento motore
• Ideale per gli interruttori lato primario nelle topologie SMPS
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico nei sistemi di gestione della batteria
• Utilizzato con stadi di potenza discreti che richiedono una densità di contenitore compatta
Quali temperature estreme può tollerare il dispositivo durante il funzionamento?
È specificato per funzionare in un'ampia gamma da -55 °C a 150 °C, coprendo avviamenti a bassa temperatura e condizioni di giunzione elevate.
Quale tipo di contenitore devo aspettarmi per l'assemblaggio del circuito stampato e la gestione termica?
È fornito in un contenitore PowerPAK 10x12 ottimizzato per il montaggio su circuito stampato per facilitare la diffusione del calore e i layout a bassa induttanza.
Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono implicate dal valore di carica del gate?
La carica gate tipica di 63 nC richiede un driver in grado di generare e assorbire una corrente sufficiente per soddisfare le velocità di commutazione desiderate, gestendo al contempo le perdite di commutazione.
In che modo la configurazione dei canali influisce sulle scelte di progettazione dei circuiti?
Essendo un dispositivo di potenziamento a canale N, richiede un'adeguata polarità del gate drive ed è generalmente utilizzato sul lato basso o come interruttore lato alto con spostamento di livello.
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