MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.193 Ω Miglioramento, 16 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Montaggio su circuito stampato
- Codice RS:
- 268-8316
- Codice costruttore:
- SIHK185N60EF-T1GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 268-8316
- Codice costruttore:
- SIHK185N60EF-T1GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 16A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | SIHK | |
| Tipo di package | PowerPAK 10 x 12 | |
| Tipo montaggio | Montaggio su circuito stampato | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.193Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 114W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 32nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 9.9mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 16A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie SIHK | ||
Tipo di package PowerPAK 10 x 12 | ||
Tipo montaggio Montaggio su circuito stampato | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.193Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 114W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 32nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 9.9mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET serie SIHK di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua 16 A - SIHK185N60EF-T1GE3
Questo MOSFET è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione di potenza su gruppi PCB. Funziona in un'ampia gamma di temperature e si adatta agli ambienti di controllo industriale e conversione di potenza in cui sono richieste una robusta gestione della tensione e una tolleranza termica.
Caratteristiche e vantaggi:
• La tensione di drain di 650 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 16 A supporta correnti di carico sostanziali • La bassa Rds(on) di 0,193 Ω riduce le perdite di conduzione e la generazione di calore • La dissipazione di potenza 114 W consente una gestione della potenza sostenuta • La carica di gate tipica 32 nC supporta velocità di commutazione moderatamente veloci • L'azionamento gate massimo di 30 V consente progetti di controllo gate flessibili
Applicazioni
• Adatto per convertitori e inverter di potenza ad alta tensione • Ideale per alimentatori switching nei sistemi industriali • Utilizzato per la commutazione dell'azionamento del motore nelle apparecchiature di automazione • Può essere utilizzato per il controllo elettronico del trasformatore e del ballast di illuminazione
Quali estremi termici può tollerare nella progettazione del sistema?
È specificato per funzionare fino a -55 °C e fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con ampia variazione della temperatura ambiente.
Quali sono le considerazioni di montaggio necessarie su un circuito stampato?
È progettato per il montaggio su circuito stampato in un contenitore PowerPAK 10x12 con otto pin, pertanto il layout del circuito stampato deve fornire adeguate vie termiche e area in rame per la diffusione del calore.
Come deve essere limitato l'azionamento del gate per proteggere il dispositivo?
Il gate non deve superare ±30 V rispetto alla sorgente, pertanto i circuiti di azionamento del gate devono includere il bloccaggio o la regolazione per evitare la sovratensione.
Quale caratteristica di carica influisce sulla selezione del driver gate?
La carica di gate tipica è di 32 nC alla polarizzazione del gate specificata, indicando la corrente di azionamento richiesta e le perdite di commutazione per la dimensionamento del driver gate.
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