MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.193 Ω Miglioramento, 16 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Montaggio su circuito stampato

Codice RS:: 268-8314
Codice costruttore:: SIHK185N60EF-T1GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.193 Ω Miglioramento, 16 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Montaggio su circuito stampato

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Codice RS:: 268-8314
Codice costruttore:: SIHK185N60EF-T1GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	16A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	PowerPAK 10 x 12
	Serie	SIHK
	Tipo montaggio	Montaggio su circuito stampato
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.193Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	32nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	114W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Lunghezza	9.9mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 16A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package PowerPAK 10 x 12
	Serie SIHK
	Tipo montaggio Montaggio su circuito stampato
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.193Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 32nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 114W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Lunghezza 9.9mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - SIHK185N60EF-T1GE3

Paese di origine:: CN

MOSFET serie SIHK di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua 16 A - SIHK185N60EF-T1GE3

Questo MOSFET è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione di potenza su gruppi PCB. Funziona in un'ampia gamma di temperature e si adatta agli ambienti di controllo industriale e conversione di potenza in cui sono richieste una robusta gestione della tensione e una tolleranza termica.

Caratteristiche e vantaggi:

• La tensione di drain di 650 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 16 A supporta correnti di carico sostanziali • La bassa Rds(on) di 0,193 Ω riduce le perdite di conduzione e la generazione di calore • La dissipazione di potenza 114 W consente una gestione della potenza sostenuta • La carica di gate tipica 32 nC supporta velocità di commutazione moderatamente veloci • L'azionamento gate massimo di 30 V consente progetti di controllo gate flessibili

Applicazioni

• Adatto per convertitori e inverter di potenza ad alta tensione • Ideale per alimentatori switching nei sistemi industriali • Utilizzato per la commutazione dell'azionamento del motore nelle apparecchiature di automazione • Può essere utilizzato per il controllo elettronico del trasformatore e del ballast di illuminazione

Quali estremi termici può tollerare nella progettazione del sistema?

È specificato per funzionare fino a -55 °C e fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con ampia variazione della temperatura ambiente.

Quali sono le considerazioni di montaggio necessarie su un circuito stampato?

È progettato per il montaggio su circuito stampato in un contenitore PowerPAK 10x12 con otto pin, pertanto il layout del circuito stampato deve fornire adeguate vie termiche e area in rame per la diffusione del calore.

Come deve essere limitato l'azionamento del gate per proteggere il dispositivo?

Il gate non deve superare ±30 V rispetto alla sorgente, pertanto i circuiti di azionamento del gate devono includere il bloccaggio o la regolazione per evitare la sovratensione.

Quale caratteristica di carica influisce sulla selezione del driver gate?

La carica di gate tipica è di 32 nC alla polarizzazione del gate specificata, indicando la corrente di azionamento richiesta e le perdite di commutazione per la dimensionamento del driver gate.