MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.25 Ω Miglioramento, 13 A, 4 Pin, PowerPAK 8 x 8, Superficie SIHH250N60EF-T1GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
268-8303
Codice costruttore:
SIHH250N60EF-T1GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

13A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PowerPAK 8 x 8

Serie

SIHH

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.25Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

89W

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

8mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TW

MOSFET serie SIHH di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua 13 A - SIHH250N60EF-T1GE3


Questo MOSFET è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione e la conversione di potenza nei sistemi elettrici industriali. È progettato per assemblaggi a montaggio superficiale in cui sono richieste una robusta gestione della tensione e resistenza termica, e funziona in un'ampia gamma di temperature per adattarsi agli ambienti più difficili.

Caratteristiche e vantaggi:


• La capacità di drenaggio a 650 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 13 A supporta correnti di carico sostanziali • L'Rds(on) di 0,25 Ω riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento • La carica di gate tipica di 23 nC consente una dinamica di commutazione controllata • La tolleranza massima dell'azionamento del gate di 30 V è compatibile con i driver gate standard • La dissipazione di potenza di 89 W consente un carico termico sostenuto

Applicazioni


• Adatto per la commutazione di potenza ad alta tensione negli azionamenti industriali • Ideale per alimentatori a commutazione che richiedono Vds elevati • Utilizzato per le fasi dell'inverter del motore che gestiscono correnti moderate • Può essere utilizzato per i moduli di correzione del fattore di potenza nelle apparecchiature dell'impianto

Quale formato di montaggio è richiesto per l'assemblaggio del circuito?


Utilizza un contenitore superficiale PowerPAK 8x8 con quattro pin progettato per il montaggio su circuito stampato a bassa induttanza.

Come si comporta il dispositivo a temperature estreme?


È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in installazioni con ampia variazione termica.

Qual è la tensione massima tra il drenaggio e la sorgente?


La tensione nominale massima drain-source è di 650 V, definendo il limite superiore per la tensione di blocco a stato stabile.

Quali limitazioni dell'azionamento del gate devono essere osservate?


La tensione gate-sorgente non deve superare 30 V per evitare di danneggiare l'ossido gate.

Ci sono restrizioni normative sui materiali?


Il componente è elencato come conforme alla direttiva RoHS, indicando la restrizione di alcune sostanze pericolose.

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