MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.25 Ω Miglioramento, 13 A, 4 Pin, PowerPAK 8 x 8, Superficie SIHH250N60EF-T1GE3
- Codice RS:
- 268-8303
- Codice costruttore:
- SIHH250N60EF-T1GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 268-8303
- Codice costruttore:
- SIHH250N60EF-T1GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 13A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | PowerPAK 8 x 8 | |
| Serie | SIHH | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.25Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 23nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 89W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 8mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 13A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package PowerPAK 8 x 8 | ||
Serie SIHH | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.25Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 23nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 89W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 8mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- TW
MOSFET serie SIHH di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua 13 A - SIHH250N60EF-T1GE3
Questo MOSFET è un dispositivo di commutazione ad alta tensione progettato per applicazioni di conversione di potenza e controllo in cui è richiesto un montaggio superficiale compatto. Funziona come transistor a canale N in modalità di potenziamento ed è progettato per gestire tensioni e correnti elevate in ambienti termici impegnativi, pur essendo conforme alle restrizioni RoHS.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di 650 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione
• La corrente continua da 13 A supporta l'azionamento di carichi consistenti
• Rds(on) di 0.25 Ω riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione di potenza 89 W consente prestazioni termiche sostenute
• La carica di gate tipica di 23 nC consente transizioni di gate a velocità moderata
• La Vgs massima di 30 V garantisce un robusto margine di azionamento del gate
• La corrente continua da 13 A supporta l'azionamento di carichi consistenti
• Rds(on) di 0.25 Ω riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione di potenza 89 W consente prestazioni termiche sostenute
• La carica di gate tipica di 23 nC consente transizioni di gate a velocità moderata
• La Vgs massima di 30 V garantisce un robusto margine di azionamento del gate
Applicazioni
• Adatto per alimentatori switching offline
• Ideale per le fasi di azionamento del motore ad alta tensione
• Utilizzato con driver gate isolati nei convertitori di potenza
• Può essere utilizzato per topologie a commutazione morbida e a risonanza
• Adatto per moduli di gestione dell'alimentazione industriale
• Ideale per le fasi di azionamento del motore ad alta tensione
• Utilizzato con driver gate isolati nei convertitori di potenza
• Può essere utilizzato per topologie a commutazione morbida e a risonanza
• Adatto per moduli di gestione dell'alimentazione industriale
Quali temperature estreme può tollerare durante il funzionamento?
È specificato per funzionare in un'ampia gamma di temperature da -55 °C a 150 °C per l'uso in condizioni termiche difficili.
Quale contenitore e metodo di montaggio sono disponibili per assemblaggi compatti?
È fornito in un contenitore PowerPAK 8x8 progettato per il posizionamento a montaggio superficiale per risparmiare area sulla scheda e migliorare la conduzione termica.
In che modo la tensione diretta del dispositivo influisce sulla conduzione corpo-diodo?
La tensione diretta di 1,2 V indica la tipica caduta di tensione attraverso il diodo intrinseco durante la conduzione inversa, influenzando i calcoli di perdita nella rettifica sincrona o nei percorsi di rotazione libera.
Quale configurazione dei pin è disponibile per l'integrazione del circuito?
Il componente espone quattro pin, facilitando i collegamenti separati per la disposizione della sorgente, del drenaggio, del gate e della linguetta o del pad termico durante il layout del circuito stampato.
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