MOSFET Vishay, canale Canale N 650 V, 0.065 Ω Miglioramento, 34 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Scheda SIHK110N65SF-T1GE3

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Codice RS:
735-228
Codice costruttore:
SIHK110N65SF-T1GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

34A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PowerPAK 10 x 12

Serie

SF Series

Tipo montaggio

Scheda

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.065Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

329W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

85nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL

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