MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.125 Ω Miglioramento, 21 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Montaggio su circuito stampato
- Codice RS:
- 268-8313
- Codice costruttore:
- SIHK125N60EF-T1GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 confezione da 2 unità*
11,04 €
(IVA esclusa)
13,46 €
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 5,52 € | 11,04 € |
| 50 - 98 | 4,96 € | 9,92 € |
| 100 - 248 | 4,07 € | 8,14 € |
| 250 + | 3,99 € | 7,98 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 268-8313
- Codice costruttore:
- SIHK125N60EF-T1GE3
- Costruttore:
- Vishay
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 21A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | SIHK | |
| Tipo di package | PowerPAK 10 x 12 | |
| Tipo montaggio | Montaggio su circuito stampato | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.125Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 45nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 132W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 9.9mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 21A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie SIHK | ||
Tipo di package PowerPAK 10 x 12 | ||
Tipo montaggio Montaggio su circuito stampato | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.125Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 45nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 132W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 9.9mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET serie SIHK Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 650 V, corrente di drenaggio continua massima 21 A - SIHK125N60EF-T1GE3
Caratteristiche e vantaggi:
• La corrente di drenaggio continua di 21 A supporta carichi pesanti
• L'Rds(on) di 0,125 Ω riduce le perdite di conduzione alla corrente d'esercizio
• La carica gate tipica di 45 nC consente una gestione efficiente del gate drive
• La dissipazione di potenza 132 W consente un carico termico sostanziale
Applicazioni
• Ideale per alimentatori ad alta tensione nei sistemi di automazione
• Utilizzato per la conversione di potenza in modalità commutata nelle apparecchiature elettriche
• Può essere utilizzato per moduli di trazione e conversione a media potenza
Quale tensione di sollecitazione può resistere nei circuiti di commutazione?
In che modo la carica di gate influisce sulla progettazione dell'azionamento?
In quali estremi termici può operare?
Quanti pin e quale stile di montaggio utilizza?
Qual è la tensione di gate massima consentita?
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