MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.125 Ω Miglioramento, 21 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Montaggio su circuito stampato

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
268-8313
Codice costruttore:
SIHK125N60EF-T1GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

21A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

SIHK

Tipo di package

PowerPAK 10 x 12

Tipo montaggio

Montaggio su circuito stampato

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.125Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

132W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

9.9mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET serie SIHK Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 650 V, corrente di drenaggio continua massima 21 A - SIHK125N60EF-T1GE3


Questo MOSFET è un transistor di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per la conversione di potenza e il controllo su schede a circuito stampato. Funziona in un ampio intervallo termico ed è progettato per applicazioni che richiedono una gestione robusta della tensione e una capacità di corrente moderata in un contenitore PowerPAK montato su circuito stampato.

Caratteristiche e vantaggi:


• capacità di drenaggio 650 V per la commutazione ad alta tensione
• Corrente di drenaggio continua di 21 A per un'erogazione di potenza costante
• Basso Rds(on) di 0.125 Ω per ridurre le perdite di conduzione
• dissipazione di potenza 132 W per spazio termico
• Carica gate tipica di 45 nC per un'energia di commutazione prevedibile
• Valore nominale gate-source di 30 V per livelli di azionamento gate flessibili

Applicazioni


• Adatto per alimentatori switching nelle apparecchiature industriali
• Ideale per i frontali con azionamento a motore ad alta tensione
• Utilizzato con driver gate isolati nei convertitori di potenza
• Può essere utilizzato per le fasi di correzione del fattore di potenza
• Adatto per circuiti inverter nei sistemi a energia rinnovabile

Quale contenitore è fornito per l'assemblaggio del circuito stampato e la gestione termica?


Il componente è fornito in un contenitore a montaggio superficiale PowerPAK 10x12 progettato per il montaggio su circuito stampato per facilitare il trasferimento del calore alla scheda e facilitare i percorsi termici basati sulla saldatura.

Quali estremi termici può sopportare il dispositivo durante il funzionamento?


È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con notevoli variazioni di temperatura.

Come si comporta il dispositivo come un interruttore azionato da gate?


Si tratta di un MOSFET a canale N in modalità di potenziamento che richiede una tensione di sorgente gate positiva fino al suo limite di 30 V per condurre, e la sua carica gate tipica di 45 nC fornisce informazioni sui calcoli di energia di commutazione.

Sono presenti attributi ambientali o normativi?


Il dispositivo è conforme ai requisiti RoHS per le sostanze soggette a restrizioni, in linea con le direttive ambientali standard sui componenti elettronici.

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