MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.125 Ω Miglioramento, 21 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Montaggio su circuito stampato

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Codice RS:
268-8312
Codice costruttore:
SIHK125N60EF-T1GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

21A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PowerPAK 10 x 12

Serie

SIHK

Tipo montaggio

Montaggio su circuito stampato

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.125Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

132W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

9.9mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza Vishay con diodo corpo rapido e tecnologia serie E di 4a generazione riduce le perdite di commutazione e di conduzione ed è utilizzato in applicazioni quali alimentatori switching, alimentatori per server e supp di correzione del fattore di potenza

Bassa capacità effettiva

Energia nominale a valanga

Bassa cifra di merito

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