MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.125 Ω Miglioramento, 21 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Montaggio su circuito stampato

Codice RS:: 268-8312
Codice costruttore:: SIHK125N60EF-T1GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.125 Ω Miglioramento, 21 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Montaggio su circuito stampato

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Codice RS:: 268-8312
Codice costruttore:: SIHK125N60EF-T1GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	21A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	PowerPAK 10 x 12
	Serie	SIHK
	Tipo montaggio	Montaggio su circuito stampato
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.125Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	132W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	45nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Lunghezza	9.9mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 21A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package PowerPAK 10 x 12
	Serie SIHK
	Tipo montaggio Montaggio su circuito stampato
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.125Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 132W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 45nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Lunghezza 9.9mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - SIHK125N60EF-T1GE3

Paese di origine:: CN

MOSFET serie SIHK Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 650 V, corrente di drenaggio continua massima 21 A - SIHK125N60EF-T1GE3

Questo MOSFET è un transistor di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per la conversione di potenza e il controllo su schede a circuito stampato. Funziona in un ampio intervallo termico ed è progettato per applicazioni che richiedono una gestione robusta della tensione e una capacità di corrente moderata in un contenitore PowerPAK montato su circuito stampato.

Caratteristiche e vantaggi:

• capacità di drenaggio 650 V per la commutazione ad alta tensione
• Corrente di drenaggio continua di 21 A per un'erogazione di potenza costante
• Basso Rds(on) di 0.125 Ω per ridurre le perdite di conduzione
• dissipazione di potenza 132 W per spazio termico
• Carica gate tipica di 45 nC per un'energia di commutazione prevedibile
• Valore nominale gate-source di 30 V per livelli di azionamento gate flessibili

Applicazioni

• Adatto per alimentatori switching nelle apparecchiature industriali
• Ideale per i frontali con azionamento a motore ad alta tensione
• Utilizzato con driver gate isolati nei convertitori di potenza
• Può essere utilizzato per le fasi di correzione del fattore di potenza
• Adatto per circuiti inverter nei sistemi a energia rinnovabile

Quale contenitore è fornito per l'assemblaggio del circuito stampato e la gestione termica?

Il componente è fornito in un contenitore a montaggio superficiale PowerPAK 10x12 progettato per il montaggio su circuito stampato per facilitare il trasferimento del calore alla scheda e facilitare i percorsi termici basati sulla saldatura.

Quali estremi termici può sopportare il dispositivo durante il funzionamento?

È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con notevoli variazioni di temperatura.

Come si comporta il dispositivo come un interruttore azionato da gate?

Si tratta di un MOSFET a canale N in modalità di potenziamento che richiede una tensione di sorgente gate positiva fino al suo limite di 30 V per condurre, e la sua carica gate tipica di 45 nC fornisce informazioni sui calcoli di energia di commutazione.

Sono presenti attributi ambientali o normativi?

Il dispositivo è conforme ai requisiti RoHS per le sostanze soggette a restrizioni, in linea con le direttive ambientali standard sui componenti elettronici.