MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.125 Ω Miglioramento, 31 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie

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Codice RS:
653-082
Codice costruttore:
SIHR120N60EF-T1GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

31A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

EF

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.125Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.42mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

8mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza serie EF Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 600 V, corrente di drenaggio continua massima 31 A - SIHR120N60EF-T1GE3


Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per ruoli di commutazione e conversione di potenza in sistemi industriali ed elettronici. Funziona come un dispositivo in modalità di potenziamento adatto per le applicazioni che richiedono una robusta gestione ad alta tensione, un controllo rapido del gate e un assemblaggio a montaggio superficiale.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di 600 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 31 A supporta una gestione del carico sostanziale • La resistenza di accensione di 0,125 Ω riduce le perdite di conduzione • La carica di gate tipica di 45 nC consente un comportamento di commutazione prevedibile • La dissipazione di potenza di 278 W consente un funzionamento ad alta potenza • La gamma da -55 °C a 150 °C supporta ampi ambienti termici

Applicazioni


• Adatto per SMPS ad alta tensione e alimentatori • Ideale per azionamenti e inverter di motori industriali • Utilizzato per la commutazione induttiva del carico nei sistemi di automazione • Può essere utilizzato per convertitori c. c. - c. c. ad alta tensione • Adatto per le fasi di potenza nei controlli di saldatura e riscaldamento

Quale contenitore e forma di montaggio utilizza per l'assemblaggio del circuito stampato?


È fornito in un contenitore PowerPAK a montaggio superficiale con una configurazione a 8 pin adatta per il posizionamento automatizzato.

Quali sono i limiti di tensione del gate che i progettisti devono rispettare?


La tensione nominale massima da gate a sorgente è di 30 V, pertanto i circuiti di azionamento del gate devono rimanere entro questo limite.

Come deve essere approcciata la gestione termica per le attività ad alta potenza?


Il design deve tenere conto della capacità di dissipazione di 278 W con circuiti stampati in rame, vie termiche o dissipatori di calore appropriati per mantenere le temperature di giunzione entro i limiti.

Quale tensione massima di drenaggio-sorgente si può prevedere durante il funzionamento?


Il dispositivo è classificato per resistere fino a 600 V tra il drenaggio e la sorgente in condizioni specifiche.

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