MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.108 Ω Miglioramento, 38 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SIHR100N60EF-T1GE3

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Codice RS:
653-077
Codice costruttore:
SIHR100N60EF-T1GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

38A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

EF

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.108Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

347W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

35nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza serie E di 4a generazione Vishay è dotato di un diodo a corpo rapido per una maggiore efficienza di commutazione. Offre una bassa cifra di merito (FOM), una capacità effettiva ridotta e perdite di commutazione e conduzione ridotte al minimo. Confezionato in PowerPAK 8x8LR, è ideale per server, telecomunicazioni, illuminazione, applicazioni industriali e di energia solare.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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