MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.125 Ω Miglioramento, 31 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SIHR120N60EF-T1GE3

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

11.085,00 €

(IVA esclusa)

13.524,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +3,695 €11.085,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
653-081
Codice costruttore:
SIHR120N60EF-T1GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

31A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

EF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.125Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

8 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza serie E di 4a generazione Vishay è dotato di un diodo a corpo rapido per una migliore efficienza di commutazione. Offre una bassa cifra di merito (FOM), una capacità effettiva ridotta e perdite di commutazione e conduzione ridotte al minimo. Alloggiato in un contenitore PowerPAK 8x8LR, è ideale per server, telecomunicazioni, illuminazione, applicazioni industriali e di energia solare.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

Link consigliati