MOSFET Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.159 Ω Miglioramento, 18 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Superficie SIHK155N60EF-T1GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
279-9918
Codice costruttore:
SIHK155N60EF-T1GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

PowerPAK 10 x 12

Serie

SIHK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.159Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

38nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

156W

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

9.9mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET di potenza serie E con diodo a corpo rapido e il transistor in esso è realizzato in materiale noto come silicio.

Tecnologia serie E di 4a generazione

Bassa figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva

Energia nominale a valanga

Ridotte perdite di commutazione e conduzione

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