MOSFET di potenza Vishay, canale N 600 V, 0.105 Ω Miglioramento, 38 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie
- Codice RS:
- 653-080
- Codice costruttore:
- SIHR100N60E-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 nastro da 1 unità*
6,11 €
(IVA esclusa)
7,45 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 18 giugno 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Nastro/i | Per Nastro |
|---|---|
| 1 - 9 | 6,11 € |
| 10 - 49 | 5,93 € |
| 50 - 99 | 5,74 € |
| 100 + | 4,94 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 653-080
- Codice costruttore:
- SIHR100N60E-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 38A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | PowerPAK | |
| Serie | E | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.105Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 34nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 347W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 10.42mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 8mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 38A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package PowerPAK | ||
Serie E | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.105Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 34nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 347W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 10.42mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 8mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 600 V, corrente di drenaggio continua massima 38 A - SIHR100N60E-T1-GE3
Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta tensione progettato per le attività di commutazione e controllo nell'elettronica industriale. Funziona come transistor a montaggio superficiale adatto per la conversione di potenza e gli ambienti di commutazione ad alta tensione, offrendo un equilibrio tra gestione della tensione e resistenza termica per l'uso in assemblaggi impegnativi.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale drain-source di 600 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 38 A supporta correnti di carico sostanziali • L'Rds(on) di 0,105 Ω riduce al minimo le perdite di conduzione durante il funzionamento • La dissipazione di potenza di 347 W consente un carico termico sostenuto • La carica di gate tipica 34 nC consente un controllo efficiente dell'azionamento del gate • L'intervallo di funzionamento da -55 °C a 150 °C supporta il funzionamento a temperature estreme
Applicazioni
• Adatto per convertitori di potenza ad alta tensione nell'automazione industriale • Ideale per i front-end di azionamento del motore che richiedono una commutazione robusta • Utilizzato per alimentatori a commutazione che gestiscono tensioni elevate • Può essere utilizzato per le fasi di correzione del fattore di potenza nei sistemi elettrici • Utilizzato con driver gate in progetti di inverter ad alta tensione
Quale stile di montaggio richiede per l'assemblaggio?
È progettato per il montaggio superficiale in un contenitore PowerPAK, che richiede profili SMT standard a riflusso e un'adeguata progettazione in rame per la dissipazione del calore.
In che modo la tensione dell'azionamento del gate influisce sulla commutazione?
Il dispositivo tollera fino a 30 V sul gate rispetto alla sorgente
l'utilizzo delle tensioni di gate consigliate ottimizza la velocità di accensione evitando al contempo la sovratensione del gate.
Quali sono le considerazioni termiche necessarie per le applicazioni ad alta potenza?
Data la dissipazione di potenza nominale di 347 W, sono necessari un'adeguata area di rame del circuito stampato e vie termiche per trasferire il calore lontano dal contenitore per mantenere le temperature di giunzione al di sotto dei limiti massimi.
Questo dispositivo è adatto per progetti automobilistici?
Non è specificato come di livello automobilistico, pertanto l'idoneità dipende dai requisiti a livello di sistema e da qualsiasi qualifica aggiuntiva richiesta dal progettista.
Link consigliati
- MOSFET di potenza Vishay 0.105 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie SIHR100N60E-T1-GE3
- MOSFET di potenza Vishay 0.12 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET di potenza Vishay 0.12 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie SIHR120N60E-T1-GE3
- MOSFET di potenza Vishay 0.084 Ω Miglioramento 4 Pin Montaggio su circuito stampato
- MOSFET Vishay 135 mΩ Miglioramento 4 Pin Superficie SIHH26N60E-T1-GE3
- MOSFET Vishay 0.158 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie SIHK155N60E-T1-GE3
- MOSFET Vishay 208 mΩ Miglioramento 4 Pin Superficie SIHH240N60E-T1-GE3
- MOSFET Vishay 0.049 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie SIHK055N60E-T1-GE3