MOSFET Vishay, canale N 600 V, 208 mΩ Miglioramento, 12 A, 4 Pin, PowerPAK 8 x 8, Superficie SIHH240N60E-T1-GE3

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Codice RS:
210-4989
Codice costruttore:
SIHH240N60E-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

PowerPAK 8 x 8

Serie

E

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

208mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

89W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

7.9mm

Altezza

900μm

Larghezza

7.9mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza serie e Vishay è dotato di contenitore PowerPAK 8 x 8 con configurazione singola.

Tecnologia della serie e di 4th generazione

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (Co(er))

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)

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