MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.12 Ω Miglioramento, 32 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SIHR120N60E-T1-GE3

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Codice RS:
653-083
Codice costruttore:
SIHR120N60E-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

32A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

E

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.12Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

29nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

8 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza serie E di 4a generazione Vishay è ottimizzato per applicazioni di commutazione ad alte prestazioni. Offre una bassa cifra di merito (FOM), perdite di commutazione e conduzione ridotte e una bassa capacità effettiva. Confezionato nel compatto PowerPAK 8x8LR, è ideale per l'uso in server, telecomunicazioni, illuminazione e alimentatori industriali.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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