MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.12 Ω Miglioramento, 32 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie

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Codice RS:
653-083
Codice costruttore:
SIHR120N60E-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

32A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

E

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.12Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

29nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.42mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

8mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 600 V, corrente di drenaggio continua massima 32 A - SIHR120N60E-T1-GE3


Questo MOSFET di potenza è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per la conversione e il controllo di potenza a montaggio superficiale nei sistemi industriali. Funziona come dispositivo di potenziamento a canale N ed è adatto per le applicazioni che richiedono una robusta tolleranza termica e una gestione della potenza sostenuta in ambienti elettrici impegnativi.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di drenaggio di 600 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente continua di 32 A supporta correnti di carico sostanziali • Rds(on) di 0,12 Ω riduce al minimo le perdite di conduzione in condizioni nominali • La dissipazione di potenza di 278 W consente un flusso di calore significativo • Velocità di carica gate tipiche 29 nC transizioni di commutazione • La temperatura di giunzione massima di 150 °C resiste a sollecitazioni termiche elevate

Applicazioni


• Adatto per le fasi di potenza dell'azionamento del motore ad alta tensione • Ideale per alimentatori a commutazione nelle apparecchiature industriali • Utilizzato per convertitori CA/CC che richiedono un'elevata capacità di dissipazione • Può essere utilizzato per circuiti di controllo elettronici del ballast e dell'illuminazione • Adatto per la commutazione di potenza nei pannelli di automazione e controllo

Quale stile di montaggio richiede per l'assemblaggio della scheda?


È fornito in un contenitore PowerPAK a montaggio superficiale senza piombo con otto pin, progettato per il fissaggio saldato alle terre del circuito stampato e alle vie termiche per la rimozione del calore.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate devo accettare?


La tolleranza gate-sorgente è di ±30 V e la carica gate tipica di 29 nC richiede un driver in grado di generare e dissipare una corrente sufficiente per la frequenza di commutazione prevista.

In che modo l'intervallo di temperatura influisce sull'implementazione?


Il dispositivo è specificato per il funzionamento fino a -55 °C e fino a 150 °C, consentendo l'uso in ampi scenari ambientali e a giunzione rialzata a condizione che sia implementata la gestione termica.

Quali sono i limiti elettrici che proteggono contro la sovratensione o l'eccessiva dissipazione?


La tensione massima drain-source è di 600 V e la dissipazione di potenza nominale è di 278 W

i progetti devono includere percorsi di bloccaggio e termici appropriati per evitare il superamento.

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