MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.12 Ω Miglioramento, 32 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SIHR120N60E-T1-GE3

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

8460,00 €

(IVA esclusa)

10.320,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili - Si prega di controllare più tardi
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +2,82 €8.460,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
653-083
Codice costruttore:
SIHR120N60E-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

32A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

E

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.12Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

29nC

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza serie E di 4a generazione Vishay è ottimizzato per applicazioni di commutazione ad alte prestazioni. Offre una bassa cifra di merito (FOM), perdite di commutazione e conduzione ridotte e una bassa capacità effettiva. Confezionato nel compatto PowerPAK 8x8LR, è ideale per l'uso in server, telecomunicazioni, illuminazione e alimentatori industriali.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

Link consigliati