MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.12 Ω Miglioramento, 32 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie

Codice RS:: 653-083
Codice costruttore:: SIHR120N60E-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.12 Ω Miglioramento, 32 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

8616,00 €

(IVA esclusa)

10.512,00 €

(IVA inclusa)

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Unità	Per unità	Per bobina*
3000 +	2,872 €	8.616,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 653-083
Codice costruttore:: SIHR120N60E-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	32A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	600V
	Tipo di package	PowerPAK
	Serie	E
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.12Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	29nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	278W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Lunghezza	10.42mm
	Larghezza	8mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 32A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V
	Tipo di package PowerPAK
	Serie E
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.12Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 29nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 278W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Lunghezza 10.42mm
	Larghezza 8mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - SIHR120N60E-T1-GE3

Paese di origine:: CN

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 600 V, corrente di drenaggio continua massima 32 A - SIHR120N60E-T1-GE3

Questo MOSFET di potenza è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per la conversione e il controllo di potenza a montaggio superficiale nei sistemi industriali. Funziona come dispositivo di potenziamento a canale N ed è adatto per le applicazioni che richiedono una robusta tolleranza termica e una gestione della potenza sostenuta in ambienti elettrici impegnativi.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale di drenaggio di 600 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente continua di 32 A supporta correnti di carico sostanziali • Rds(on) di 0,12 Ω riduce al minimo le perdite di conduzione in condizioni nominali • La dissipazione di potenza di 278 W consente un flusso di calore significativo • Velocità di carica gate tipiche 29 nC transizioni di commutazione • La temperatura di giunzione massima di 150 °C resiste a sollecitazioni termiche elevate

Applicazioni

• Adatto per le fasi di potenza dell'azionamento del motore ad alta tensione • Ideale per alimentatori a commutazione nelle apparecchiature industriali • Utilizzato per convertitori CA/CC che richiedono un'elevata capacità di dissipazione • Può essere utilizzato per circuiti di controllo elettronici del ballast e dell'illuminazione • Adatto per la commutazione di potenza nei pannelli di automazione e controllo

Quale stile di montaggio richiede per l'assemblaggio della scheda?

È fornito in un contenitore PowerPAK a montaggio superficiale senza piombo con otto pin, progettato per il fissaggio saldato alle terre del circuito stampato e alle vie termiche per la rimozione del calore.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate devo accettare?

La tolleranza gate-sorgente è di ±30 V e la carica gate tipica di 29 nC richiede un driver in grado di generare e dissipare una corrente sufficiente per la frequenza di commutazione prevista.

In che modo l'intervallo di temperatura influisce sull'implementazione?

Il dispositivo è specificato per il funzionamento fino a -55 °C e fino a 150 °C, consentendo l'uso in ampi scenari ambientali e a giunzione rialzata a condizione che sia implementata la gestione termica.

Quali sono i limiti elettrici che proteggono contro la sovratensione o l'eccessiva dissipazione?

La tensione massima drain-source è di 600 V e la dissipazione di potenza nominale è di 278 W

i progetti devono includere percorsi di bloccaggio e termici appropriati per evitare il superamento.