MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 193 mΩ Miglioramento, 16 A, 4 Pin, PowerPAK 8 x 8, Superficie

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Codice RS:
200-6812
Codice costruttore:
SIHH186N60EF-T1GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

16A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

EF

Tipo di package

PowerPAK 8 x 8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

193mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Dissipazione di potenza massima Pd

114W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

8.1mm

Altezza

8.1mm

Standard automobilistico

No

Il Vishay SIHH186N60EF-T1GE3 è un MOSFET di potenza serie EF con diodo a corpo rapido.

Tecnologia della serie e di 4th generazione

Bassa figura di merito

Bassa capacità effettiva

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)

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