MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.085 Ω Miglioramento, 30 A, 4 Pin, PowerPAK 8 x 8, Superficie SIHH085N60EF-T1GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 unità*

9,58 €

(IVA esclusa)

11,69 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 3000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
1 - 499,58 €
50 - 998,62 €
100 - 2497,06 €
250 +6,91 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
268-8301
Codice costruttore:
SIHH085N60EF-T1GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

SIHH

Tipo di package

PowerPAK 8 x 8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.085Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Dissipazione di potenza massima Pd

184W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

8mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TW

MOSFET serie SIHH di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio 30 A - SIHH085N60EF-T1GE3


Questo MOSFET a canale n è un dispositivo di commutazione ad alta tensione progettato per l'uso in sistemi di conversione di potenza e controllo in ambienti industriali e di automazione. Funziona in un'ampia gamma di temperature ed è progettato per assemblaggi a montaggio superficiale in cui sono richieste una robusta gestione ad alta tensione e una commutazione efficiente.

Caratteristiche e vantaggi:


• Valore nominale di drenaggio 650 V che consente la capacità di commutazione ad alta tensione • Corrente di drenaggio continua di 30 A che supporta il funzionamento a carico sostenuto • Rds(on) di 0,085 Ω che riduce le perdite di conduzione nei percorsi di potenza • Carica gate tipica di 63 nC che consente prestazioni di commutazione prevedibili • Dissipazione di potenza 184 W per una gestione del carico termico elevato • temperatura di giunzione massima di 150 °C per l'uso a temperature elevate

Applicazioni


• Adatto per inverter industriali che richiedono dispositivi ad alta tensione • Utilizzato per alimentatori in apparecchiature di automazione con elevate esigenze di commutazione • Ideale per i convertitori di commutazione che gestiscono una dissipazione di potenza significativa • Può essere utilizzato per la sostituzione di relè ad alta tensione nei pannelli di controllo elettrici

Quale stile di montaggio richiede su una scheda?


È fornito in un contenitore a montaggio superficiale PowerPAK 8x8 che richiede modelli di saldatura compatibili per il collegamento termico ed elettrico.

In che modo il limite di tensione del gate influisce sui circuiti di controllo?


Il gate deve essere azionato entro ±30 V per evitare la tensione dielettrica del gate, pertanto i driver gate devono fornire margini di tensione e protezione adeguati.

Quali sono le condizioni termiche da considerare durante la progettazione?


Con una dissipazione nominale di 184 W e una temperatura d'esercizio massima di 150 °C, è necessaria una gestione termica come la diffusione del calore e un'adeguata rame per circuito stampato per mantenere temperature di giunzione sicure.

Quale complessità di configurazione dei pin devono aspettarsi i progettisti?


Il dispositivo è dotato di quattro pin, che richiedono l'assegnazione corretta nel layout per garantire collegamenti a bassa induttanza per le funzioni di drain, source e gate.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.