MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.085 Ω Miglioramento, 30 A, 4 Pin, PowerPAK 8 x 8, Superficie SIHH085N60EF-T1GE3
- Codice RS:
- 268-8301
- Codice costruttore:
- SIHH085N60EF-T1GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 268-8301
- Codice costruttore:
- SIHH085N60EF-T1GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 30A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | SIHH | |
| Tipo di package | PowerPAK 8 x 8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.085Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 184W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 63nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 8mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 30A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie SIHH | ||
Tipo di package PowerPAK 8 x 8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.085Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 184W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 63nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 8mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- TW
MOSFET serie SIHH di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 650 V, corrente di drenaggio continua massima di 30 A - SIHH085N60EF-T1GE3
Questo MOSFET è un transistor di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per applicazioni di potenza a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è adatto per i sistemi che richiedono una robusta tolleranza di tensione drain-source e una notevole gestione della corrente continua. Il dispositivo è conforme ai requisiti RoHS ed è fornito in un contenitore compatto PowerPAK 8x8 per il montaggio su scheda a basso profilo.
Caratteristiche e vantaggi:
• Valore nominale drain-source di 650 V per la commutazione a tensione elevata
• Corrente di drenaggio continua di 30 A per una gestione del carico prolungata
• Rds(on) di 0.085 Ω per ridurre le perdite di conduzione
• Dissipazione massima di 184 W per un margine termico ad alta potenza
• Tolleranza gate di ±30 V per adattarsi a vari livelli di gate drive
• Carica gate 63nC che consente energia di commutazione prevedibile
• Corrente di drenaggio continua di 30 A per una gestione del carico prolungata
• Rds(on) di 0.085 Ω per ridurre le perdite di conduzione
• Dissipazione massima di 184 W per un margine termico ad alta potenza
• Tolleranza gate di ±30 V per adattarsi a vari livelli di gate drive
• Carica gate 63nC che consente energia di commutazione prevedibile
Applicazioni
• Adatto per alimentatori e inverter ad alta tensione
• Ideale per le fasi di commutazione front-end dell'azionamento del motore
• Utilizzato con convertitori CC-CC che richiedono una gestione ad alta potenza
• Può essere utilizzato per alimentatori switching industriali
• Adatto per telecomunicazioni e moduli di conversione dell'alimentazione del server
• Ideale per le fasi di commutazione front-end dell'azionamento del motore
• Utilizzato con convertitori CC-CC che richiedono una gestione ad alta potenza
• Può essere utilizzato per alimentatori switching industriali
• Adatto per telecomunicazioni e moduli di conversione dell'alimentazione del server
Quale ambiente termico può tollerare durante il funzionamento?
Il dispositivo è specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'implementazione in condizioni termiche impegnative se abbinato a un'adeguata gestione termica.
In che modo il pacchetto supporta l'implementazione a livello di scheda?
Il formato a montaggio superficiale PowerPAK 8x8 offre un ingombro ridotto con una disposizione a quattro pin adatta all'assemblaggio automatizzato e all'efficiente instradamento termico dei circuiti stampati.
Qual è la modalità canale e le sue implicazioni per la progettazione dei circuiti?
Si tratta di un dispositivo a canale N in modalità di potenziamento, pertanto richiede un azionamento gate-source positivo per l'accensione, consentendo semplici topologie di commutazione high-side o low-side con driver gate appropriati.
Esistono considerazioni ambientali o normative in materia di materiali?
Il componente è conforme alle restrizioni sui materiali RoHS, il che indica che è privo di alcune sostanze soggette a restrizioni per i progetti basati sulla conformità.
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