MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.085 Ω Miglioramento, 30 A, 4 Pin, PowerPAK 8 x 8, Superficie SIHH085N60EF-T1GE3
- Codice RS:
- 268-8301
- Codice costruttore:
- SIHH085N60EF-T1GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- SIHH085N60EF-T1GE3
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Specifiche
Documentazione Tecnica
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Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 30A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | SIHH | |
| Tipo di package | PowerPAK 8 x 8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.085Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 63nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 184W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 8mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 30A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie SIHH | ||
Tipo di package PowerPAK 8 x 8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.085Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 63nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 184W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 8mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- TW
MOSFET serie SIHH di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio 30 A - SIHH085N60EF-T1GE3
Questo MOSFET a canale n è un dispositivo di commutazione ad alta tensione progettato per l'uso in sistemi di conversione di potenza e controllo in ambienti industriali e di automazione. Funziona in un'ampia gamma di temperature ed è progettato per assemblaggi a montaggio superficiale in cui sono richieste una robusta gestione ad alta tensione e una commutazione efficiente.
Caratteristiche e vantaggi:
• Valore nominale di drenaggio 650 V che consente la capacità di commutazione ad alta tensione • Corrente di drenaggio continua di 30 A che supporta il funzionamento a carico sostenuto • Rds(on) di 0,085 Ω che riduce le perdite di conduzione nei percorsi di potenza • Carica gate tipica di 63 nC che consente prestazioni di commutazione prevedibili • Dissipazione di potenza 184 W per una gestione del carico termico elevato • temperatura di giunzione massima di 150 °C per l'uso a temperature elevate
Applicazioni
• Adatto per inverter industriali che richiedono dispositivi ad alta tensione • Utilizzato per alimentatori in apparecchiature di automazione con elevate esigenze di commutazione • Ideale per i convertitori di commutazione che gestiscono una dissipazione di potenza significativa • Può essere utilizzato per la sostituzione di relè ad alta tensione nei pannelli di controllo elettrici
Quale stile di montaggio richiede su una scheda?
È fornito in un contenitore a montaggio superficiale PowerPAK 8x8 che richiede modelli di saldatura compatibili per il collegamento termico ed elettrico.
In che modo il limite di tensione del gate influisce sui circuiti di controllo?
Il gate deve essere azionato entro ±30 V per evitare la tensione dielettrica del gate, pertanto i driver gate devono fornire margini di tensione e protezione adeguati.
Quali sono le condizioni termiche da considerare durante la progettazione?
Con una dissipazione nominale di 184 W e una temperatura d'esercizio massima di 150 °C, è necessaria una gestione termica come la diffusione del calore e un'adeguata rame per circuito stampato per mantenere temperature di giunzione sicure.
Quale complessità di configurazione dei pin devono aspettarsi i progettisti?
Il dispositivo è dotato di quattro pin, che richiedono l'assegnazione corretta nel layout per garantire collegamenti a bassa induttanza per le funzioni di drain, source e gate.
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