MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.085 Ω Miglioramento, 30 A, 4 Pin, PowerPAK 8 x 8, Superficie SIHH085N60EF-T1GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
268-8301
Codice costruttore:
SIHH085N60EF-T1GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

SIHH

Tipo di package

PowerPAK 8 x 8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.085Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

184W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

8mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TW

MOSFET serie SIHH di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 650 V, corrente di drenaggio continua massima di 30 A - SIHH085N60EF-T1GE3


Questo MOSFET è un transistor di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per applicazioni di potenza a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è adatto per i sistemi che richiedono una robusta tolleranza di tensione drain-source e una notevole gestione della corrente continua. Il dispositivo è conforme ai requisiti RoHS ed è fornito in un contenitore compatto PowerPAK 8x8 per il montaggio su scheda a basso profilo.

Caratteristiche e vantaggi:


• Valore nominale drain-source di 650 V per la commutazione a tensione elevata
• Corrente di drenaggio continua di 30 A per una gestione del carico prolungata
• Rds(on) di 0.085 Ω per ridurre le perdite di conduzione
• Dissipazione massima di 184 W per un margine termico ad alta potenza
• Tolleranza gate di ±30 V per adattarsi a vari livelli di gate drive
• Carica gate 63nC che consente energia di commutazione prevedibile

Applicazioni


• Adatto per alimentatori e inverter ad alta tensione
• Ideale per le fasi di commutazione front-end dell'azionamento del motore
• Utilizzato con convertitori CC-CC che richiedono una gestione ad alta potenza
• Può essere utilizzato per alimentatori switching industriali
• Adatto per telecomunicazioni e moduli di conversione dell'alimentazione del server

Quale ambiente termico può tollerare durante il funzionamento?


Il dispositivo è specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'implementazione in condizioni termiche impegnative se abbinato a un'adeguata gestione termica.

In che modo il pacchetto supporta l'implementazione a livello di scheda?


Il formato a montaggio superficiale PowerPAK 8x8 offre un ingombro ridotto con una disposizione a quattro pin adatta all'assemblaggio automatizzato e all'efficiente instradamento termico dei circuiti stampati.

Qual è la modalità canale e le sue implicazioni per la progettazione dei circuiti?


Si tratta di un dispositivo a canale N in modalità di potenziamento, pertanto richiede un azionamento gate-source positivo per l'accensione, consentendo semplici topologie di commutazione high-side o low-side con driver gate appropriati.

Esistono considerazioni ambientali o normative in materia di materiali?


Il componente è conforme alle restrizioni sui materiali RoHS, il che indica che è privo di alcune sostanze soggette a restrizioni per i progetti basati sulla conformità.

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