MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 0.00174 Ω Miglioramento, 227 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8DC, Superficie SIDR626EP-T1-RE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

8,00 €

(IVA esclusa)

9,76 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In uscita dal catalogo
  • 24 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 484,00 €8,00 €
50 - 983,59 €7,18 €
100 - 2482,94 €5,88 €
250 - 9982,88 €5,76 €
1000 +2,30 €4,60 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
268-8285
Codice costruttore:
SIDR626EP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

227A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

SIDR

Tipo di package

PowerPAK SO-8DC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00174Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

102nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

5.15mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TW
Il MOSFET di potenza TrenchFET di generazione 4 a canale N Vishay è dotato di una funzione di raffreddamento lato superiore che fornisce un ulteriore luogo per il trasferimento termico. Viene utilizzato in applicazioni quali rettifica sincrona, interruttore di azionamento motore, batteria e interruttore di carico.

Sintonizzato per la più bassa cifra di merito

Conformità ROHS

Test UIS al 100%

Link consigliati