MOSFET Vishay, canale N 60 V, 0.00174 Ω Miglioramento, 227 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8DC, Superficie SIDR626EP-T1-RE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
268-8285
Codice costruttore:
SIDR626EP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

227A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK SO-8DC

Serie

SIDR

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00174Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

102nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

5.15mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TW
Il MOSFET di potenza TrenchFET di generazione 4 a canale N Vishay è dotato di una funzione di raffreddamento lato superiore che fornisce un ulteriore luogo per il trasferimento termico. Viene utilizzato in applicazioni quali rettifica sincrona, interruttore di azionamento motore, batteria e interruttore di carico.

Sintonizzato per la più bassa cifra di merito

Conformità ROHS

Test UIS al 100%

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