MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.0042 mΩ Depletion, 153 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8DC, Superficie SIDR5802EP-T1-RE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
252-0260
Codice costruttore:
SIDR5802EP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

153A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK SO-8DC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0042mΩ

Modalità canale

Depletion

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

46.1nC

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.15mm

Larghezza

5.15 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

La linea di prodotti MOSFET Vishay Siliconix include una vasta gamma di tecnologie avanzate. I MOSFET sono dispositivi a transistor controllati da un condensatore. Effetto di campo significa che sono controllati dalla tensione. I MOSFET a canale N contengono ulteriori elettroni liberi di muoversi. Si tratta di un tipo di canale più popolare. I MOSFET a canale N funzionano quando una carica positiva viene applicata al terminale di gate.

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