MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.0042 mΩ Depletion, 78 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8DC, Superficie SIDR578EP-T1-RE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
252-0258
Codice costruttore:
SIDR578EP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

78A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK SO-8DC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0042mΩ

Modalità canale

Depletion

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

46.1nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.15mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.15mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

La linea di prodotti MOSFET Vishay Siliconix include una vasta gamma di tecnologie avanzate. I MOSFET sono dispositivi a transistor controllati da un condensatore. Effetto di campo significa che sono controllati dalla tensione. I MOSFET a canale N contengono ulteriori elettroni liberi di muoversi. Si tratta di un tipo di canale più popolare. I MOSFET a canale N funzionano quando una carica positiva viene applicata al terminale di gate.

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