MOSFET Vishay, canale N 100 V, 0.00082 Ω Depletion, 415 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8DC, Superficie SiDR220EP-T1-RE3

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Codice RS:
239-8614
Codice costruttore:
SiDR220EP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

415A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PowerPAK SO-8DC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00082Ω

Modalità canale

Depletion

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

46.1nC

Dissipazione di potenza massima Pd

120W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.15mm

Lunghezza

6.15mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Vishay TrenchFET® è un MOSFET a canale N di potenza Gen IV che funziona a 25 V e 175 °C. Questo MOSFET viene usato convertitori buck sincroni ad alta densità di potenza e per la commutazione del carico.

La funzione di raffreddamento sul lato superiore fornisce un'ulteriore sede per il trasferimento termico

Bassa perdita di potenza

Testata UIS

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