MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 0.0021 Ω Depletion, 218 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8DC, Superficie SiDR626LEP-T1-RE3

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Codice RS:
239-8616
Codice costruttore:
SiDR626LEP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

218A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PowerPAK SO-8DC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0021Ω

Modalità canale

Depletion

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

120W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

46.1nC

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Lunghezza

6.15mm

Larghezza

5.15mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Vishay TrenchFET® è un MOSFET a canale N di potenza Gen IV che funziona a 60 V e 175 °C. Questo MOSFET viene utilizzato per microinverter solari, interruttori di azionamento del motore e rettifica sincrona.

La funzione di raffreddamento sul lato superiore fornisce un'ulteriore sede per il trasferimento termico

Resistenza molto bassa

testata UIS

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