MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 0.0021 Ω Depletion, 90.5 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8DC, Superficie

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Codice RS:
239-8612
Codice costruttore:
SIDR104AEP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

90.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PowerPAK SO-8DC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0021Ω

Modalità canale

Depletion

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

46.1nC

Dissipazione di potenza massima Pd

120W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.15mm

Larghezza

5.15 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Vishay TrenchFET® è un MOSFET a canale N di potenza Gen IV che funziona a 100 V e 175 °C. Questo MOSFET viene utilizzato per l'alimentazione, il controllo dell'azionamento di motori e la rettifica sincrona.

Testato UIS

resistenza molto bassa

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