MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 0.0021 Ω Depletion, 218 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8DC, Superficie SiDR626LEP-T1-RE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
239-8617
Codice costruttore:
SiDR626LEP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

218A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PowerPAK SO-8DC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0021Ω

Modalità canale

Depletion

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

120W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

46.1nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Larghezza

5.15 mm

Lunghezza

6.15mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Vishay TrenchFET® è un MOSFET a canale N di potenza Gen IV che funziona a 60 V e 175 °C. Questo MOSFET viene utilizzato per microinverter solari, interruttori di azionamento del motore e rettifica sincrona.

La funzione di raffreddamento sul lato superiore fornisce un'ulteriore sede per il trasferimento termico

Resistenza molto bassa

testata UIS

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