MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 0.0021 Ω Depletion, 218 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8DC, Superficie SiDR626LEP-T1-RE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

8,15 €

(IVA esclusa)

9,944 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 5990 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 184,075 €8,15 €
20 - 983,83 €7,66 €
100 - 1983,46 €6,92 €
200 - 4983,265 €6,53 €
500 +3,06 €6,12 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
239-8617
Codice costruttore:
SiDR626LEP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

218A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PowerPAK SO-8DC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0021Ω

Modalità canale

Depletion

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

46.1nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

120W

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.15mm

Larghezza

5.15 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Vishay TrenchFET® è un MOSFET a canale N di potenza Gen IV che funziona a 60 V e 175 °C. Questo MOSFET viene utilizzato per microinverter solari, interruttori di azionamento del motore e rettifica sincrona.

La funzione di raffreddamento sul lato superiore fornisce un'ulteriore sede per il trasferimento termico

Resistenza molto bassa

testata UIS

Link consigliati