MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.01 mΩ Depletion, 126 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8DC, Superficie SIDR5102EP-T1-RE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
252-0251
Codice costruttore:
SIDR5102EP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

126A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK SO-8DC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.01mΩ

Modalità canale

Depletion

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

46.1nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.15mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

La linea di prodotti MOSFET Vishay Siliconix include una vasta gamma di tecnologie avanzate. I MOSFET sono dispositivi a transistor controllati da un condensatore. Effetto di campo significa che sono controllati dalla tensione. I MOSFET a canale N contengono ulteriori elettroni liberi di muoversi. Si tratta di un tipo di canale più popolare. I MOSFET a canale N funzionano quando una carica positiva viene applicata al terminale di gate.

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