MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.0042 mΩ Depletion, 148 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8DC, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

3858,00 €

(IVA esclusa)

4707,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 6000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +1,286 €3.858,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
252-0252
Codice costruttore:
SIDR510EP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

148A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK SO-8DC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0042mΩ

Modalità canale

Depletion

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

46.1nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.15mm

Larghezza

5.15 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

La linea di prodotti MOSFET Vishay Siliconix include una vasta gamma di tecnologie avanzate. I MOSFET sono dispositivi a transistor controllati da un condensatore. Effetto di campo significa che sono controllati dalla tensione. I MOSFET a canale N contengono ulteriori elettroni liberi di muoversi. Si tratta di un tipo di canale più popolare. I MOSFET a canale N funzionano quando una carica positiva viene applicata al terminale di gate.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen V

Figura di merito (FOM) RDS - Qg molto bassa

Regolato per ottenere la più bassa RDS - Qoss FOM

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati