MOSFET di potenza Vishay, canale N 600 V, 0.084 Ω Miglioramento, 51 A, 8 Pin, 8x8LR, Superficie SIHR080N60E-T1-GE3
- Codice RS:
- 279-9928
- Codice costruttore:
- SIHR080N60E-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 279-9928
- Codice costruttore:
- SIHR080N60E-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 51A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | 8x8LR | |
| Serie | E | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.084Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 63nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 500W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 8mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 51A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package 8x8LR | ||
Serie E | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.084Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 63nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 500W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 8mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 600 V, corrente di drenaggio continua massima di 51 A - SIHR080N60E-T1-GE3
Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta tensione progettato per ruoli di commutazione e conversione di potenza esigenti in applicazioni a montaggio superficiale. Offre una combinazione di elevata tensione di blocco, notevole capacità di corrente continua e una tensione nominale di gate adatta per i circuiti di azionamento comuni, il che lo rende adatto per i sistemi che richiedono una commutazione compatta ad alta potenza in layout limitati.
Caratteristiche e vantaggi:
• La capacità di blocco a 600 V consente l'uso di sistemi ad alta tensione
• La corrente continua di 51 A supporta la gestione di carichi pesanti
• L'Rds(on) di 0.084 Ω riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La dissipazione di potenza di 500 W consente una gestione prolungata ad alta potenza
• La carica di gate tipica di 63 nC consente un comportamento di commutazione prevedibile
• Il valore nominale del gate di 30 V protegge contro le tensioni di azionamento del gate eccessive
• La corrente continua di 51 A supporta la gestione di carichi pesanti
• L'Rds(on) di 0.084 Ω riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La dissipazione di potenza di 500 W consente una gestione prolungata ad alta potenza
• La carica di gate tipica di 63 nC consente un comportamento di commutazione prevedibile
• Il valore nominale del gate di 30 V protegge contro le tensioni di azionamento del gate eccessive
Applicazioni
• Adatto per alimentatori switching ad alta tensione
• Ideale per i front‐end di azionamento dei motori industriali
• Utilizzato con gli stadi dell'inverter a energia rinnovabile
• Può essere utilizzato per circuiti di correzione del fattore di potenza
• Adatto per saldatura a potenza media e riscaldamento a induzione
• Ideale per i front‐end di azionamento dei motori industriali
• Utilizzato con gli stadi dell'inverter a energia rinnovabile
• Può essere utilizzato per circuiti di correzione del fattore di potenza
• Adatto per saldatura a potenza media e riscaldamento a induzione
Quale intervallo di temperatura può tollerare in ambienti difficili?
Funziona tra -55 °C e 150 °C, consentendo l'uso in ampie condizioni termiche senza declassamento per escursioni a temperatura moderata.
In che modo il pacchetto supporta i progetti di circuiti stampati compatti?
L'ingombro a 8 pin per montaggio superficiale 8x8LR consente un posizionamento denso della scheda fornendo al contempo un'adeguata connettività termica ed elettrica.
Qual è la tensione diretta durante la conduzione e il suo impatto?
La tensione diretta tipica è di 1,2 V, che influisce sulla caduta di tensione in stato attivo e deve essere presa in considerazione nei calcoli termici e di efficienza.
Questo dispositivo è adatto ai requisiti delle specifiche automobilistiche?
Non è specificato come di tipo automobilistico, pertanto non deve essere considerato conforme agli standard specifici per l'elettronica dei veicoli.
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