MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.084 Ω Miglioramento, 51 A, 8 Pin, 8x8LR, Superficie

Codice RS:: 279-9928
Codice costruttore:: SIHR080N60E-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 600 V, 0.084 Ω Miglioramento, 51 A, 8 Pin, 8x8LR, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

9972,00 €

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Codice RS:: 279-9928
Codice costruttore:: SIHR080N60E-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id	51A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	600V
	Tipo di package	8x8LR
	Serie	E
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.084Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	63nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	500W
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Lunghezza	8mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id 51A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V
	Tipo di package 8x8LR
	Serie E
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.084Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 63nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 500W
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Lunghezza 8mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - SIHR080N60E-T1-GE3

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 600 V, corrente di drenaggio continua massima 51 A - SIHR080N60E-T1-GE3

Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione ad alta tensione progettato per l'elettronica industriale e i sistemi di alimentazione più esigenti. Funziona come transistor a canale N in modalità di potenziamento su misura per l'installazione a montaggio superficiale e offre prestazioni robuste per applicazioni ad alta tensione pur rimanendo adatto per ambienti che richiedono componenti di alimentazione compatti e montati su scheda.

Caratteristiche e vantaggi:

• capacità di drenaggio 600 V per la commutazione ad alta tensione
• Gestione della corrente continua 51 A per carichi pesanti
• Basso Rds(on) di 0,084 Ω per ridurre le perdite di conduzione
• dissipazione di potenza 500 W per spazio termico
• Carica gate tipica di 63 nC per un comportamento di commutazione prevedibile
• Gate massimo di 30 V per adattarsi alle comuni tensioni di azionamento

Applicazioni

• Adatto per gli stadi dell'inverter di azionamento del motore industriale
• Ideale per alimentatori e convertitori ad alta tensione
• Utilizzato per la conversione CC-CC nelle apparecchiature di automazione
• Può essere utilizzato per la commutazione delle fasi nei sistemi di gestione dell'alimentazione
• Utilizzato con assemblaggi ad alta temperatura in ambienti difficili

Quale intervallo di temperatura può tollerare il dispositivo durante il funzionamento?

È classificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in sistemi esposti a ampie variazioni termiche.

Come è confezionato il dispositivo per l'assemblaggio su circuito stampato?

È fornito in un contenitore 8x8LR a montaggio superficiale con otto pin per supportare layout di circuito stampato compatti e posizionamento automatizzato.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate devono essere osservate?

Il gate non deve superare ±30 V

i progettisti devono garantire che i circuiti di azionamento limitino i Vgs entro questa soglia per evitare danni al gate.

In che modo il comportamento di commutazione influisce sulla gestione termica?

La carica di gate tipica di 63 nC influisce sulle perdite di commutazione e quindi sulla generazione di calore durante il funzionamento ad alta frequenza, informando i requisiti del dissipatore o del rame del circuito stampato.