MOSFET Vishay, canale P, 51 mΩ, 8 A, TSOP-6, Montaggio superficiale

Codice RS:: 134-9155
Codice costruttore:: SI3493DDV-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 51 mΩ, 8 A, TSOP-6, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,089 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,089 €	267,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 134-9155
Codice costruttore:: SI3493DDV-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si3493DDV, P-Channel 20V MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	8 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	TSOP-6
Serie	TrenchFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	51 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	3,6 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Larghezza	1.7mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	34,8 nC a 8 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET Vishay, canale P, 51 mΩ, 8 A, TSOP-6, Montaggio superficiale

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MOSFET canale P, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

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