MOSFET Vishay, canale Tipo P 80 V, 82.7 mΩ Miglioramento, 5.4 A, 6 Pin, TSOP, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

591,00 €

(IVA esclusa)

720,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Per ordini inferiori a 60,00 € (IVA esclusa) il costo della spedizione è 9,50 €.
In magazzino
  • Più 3000 unità in spedizione dal 19 febbraio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,197 €591,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
228-2815
Codice costruttore:
Si3129DV-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

TSOP

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

82.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

4.2W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza canale P TrenchFET Vishay è utilizzato per la gestione dell'alimentazione di convertitori di carico/c.c. e interruttori di distribuzione di carico portatili e di consumo.

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati