MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 19.2 mΩ Miglioramento, 8 A, 6 Pin, TSOP, Superficie SI3421DV-T1-GE3

Codice RS:: 180-7895
Codice costruttore:: SI3421DV-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 19.2 mΩ Miglioramento, 8 A, 6 Pin, TSOP, Superficie SI3421DV-T1-GE3

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*prezzo indicativo

Codice RS:: 180-7895
Codice costruttore:: SI3421DV-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	8A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Serie	TrenchFET
	Tipo di package	TSOP
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	19.2mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	-1.2V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	21nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	2.7W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	3.1mm
	Altezza	1.1mm
	Larghezza	2.98 mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id 8A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Serie TrenchFET
	Tipo di package TSOP
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 19.2mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf -1.2V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 21nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 2.7W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 3.1mm
	Altezza 1.1mm
	Larghezza 2.98 mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Datasheet

Paese di origine:: CN

MOSFET Vishay

Il MOSFET a canale P a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 30V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 19,2 MOhm a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 4,2 W e una corrente di drain continua di 8A. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo transistore sono rispettivamente 4,5 V e 10V. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi

• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications

• interruttore adattatore

• convertitore CC/CC

• per il mobile computing/consumer

• interruttori di carico

Certificazioni

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg testato

• UIS testato