MOSFET Vishay, canale Tipo P 12 V, 33 mΩ Miglioramento, 8 A, 6 Pin, TSOP, Superficie SI3477DV-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
812-3160
Codice costruttore:
SI3477DV-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

12V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

TSOP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

33mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

58nC

Tensione diretta Vf

-0.8V

Dissipazione di potenza massima Pd

4.2W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.7 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.1mm

Altezza

1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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