MOSFET Vishay, canale P, 33 mΩ, 8 A, TSOP-6, Montaggio superficiale

Codice RS:: 812-3160
Codice costruttore:: SI3477DV-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 33 mΩ, 8 A, TSOP-6, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 812-3160
Codice costruttore:: SI3477DV-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si3477DV, P-Channel 12V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	8 A
Tensione massima drain source	12 V
Serie	TrenchFET
Tipo di package	TSOP-6
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	33 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	4,2 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-10 V, +10 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.7mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3.1mm
Carica gate tipica @ Vgs	58 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET Vishay, canale P, 33 mΩ, 8 A, TSOP-6, Montaggio superficiale

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MOSFET canale P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

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