MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 33 mΩ Miglioramento, 9.9 A, 8 Pin, PowerPAK ChipFET, Superficie SI5419DU-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
818-1312
Codice costruttore:
SI5419DU-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

9.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

Si5419DU

Tipo di package

PowerPAK ChipFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

33mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

31W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

-0.85V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.98 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.08mm

Altezza

0.85mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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