MOSFET Vishay, canale P, 33 mΩ, 9,9 A, PowerPAK ChipFET, Montaggio superficiale

Codice RS:: 818-1312
Codice costruttore:: SI5419DU-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 33 mΩ, 9,9 A, PowerPAK ChipFET, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 818-1312
Codice costruttore:: SI5419DU-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si5419DU, P-Channel 30V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	9,9 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	PowerPAK ChipFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	33 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	31 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3.08mm
Carica gate tipica @ Vgs	30 nC a 10 V
Larghezza	1.98mm
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.85mm

MOSFET Vishay, canale P, 33 mΩ, 9,9 A, PowerPAK ChipFET, Montaggio superficiale

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MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor

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