MOSFET Vishay, canale N 20 V, 0.0135 Ω, 25 A, 8 Pin, PowerPAK ChipFET, Superficie SI5442DU-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
256-7365
Codice costruttore:
SI5442DU-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

PowerPAK ChipFET

Serie

SI5442DU

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0135Ω

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16.6nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

31W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8V

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

850μm

Standard automobilistico

No

MOSFET serie SI5442DU Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 20 V, corrente di drenaggio continua massima 25 A - SI5442DU-T1-GE3


Questo MOSFET è un transistor di commutazione a canale N progettato per ruoli di gestione dell'alimentazione ad alta corrente in assemblaggi compatti a montaggio superficiale. Funziona come un dispositivo di alimentazione a bassa tensione adatto per convertitori CC-CC e topologie di commutazione sincrona, operando in un'ampia gamma ambientale per ambienti termici impegnativi.

Caratteristiche e vantaggi:


• Resistenza in stato attivo molto bassa, 0,0135 Ω, che consente di ridurre le perdite di conduzione
• Capacità di scarico continuo 25 A che supporta guide ad alta corrente
• La resistenza alla sorgente di drenaggio di 20 V consente stadi di potenza a bassa tensione
• La tolleranza del gate fino a 8 V consente schemi di azionamento flessibili
• Carica gate totale tipica di 16,6 nC per un controllo di commutazione efficiente
• La dissipazione di potenza di 31 W consente un carico termico sostenuto

Applicazioni


• Adatto per uscite convertitore buck sincrono
• Ideale per moduli di distribuzione dell'alimentazione di livello automobilistico
• Utilizzato per la commutazione di carichi ad alta corrente in apparecchiature industriali
• Può essere utilizzato per le fasi di alimentazione delle telecomunicazioni
• Adatto per la regolazione del punto di carico su schede compatte

Quale intervallo termico può tollerare il dispositivo durante l'implementazione?


È specificato per funzionare da -55 °C fino a +150 °C, adattandosi a condizioni di funzionamento sia a freddo che ad alta temperatura.

In che modo la tensione diretta influisce sull'efficienza nei sistemi a bassa tensione?


La tensione diretta tipica di 1,2 V attraverso il diodo intrinseco riduce le perdite a tempo morto e contribuisce all'efficienza complessiva del convertitore durante il funzionamento sincrono.

Quale tipo di contenitore e tipo di montaggio sono disponibili per l'assemblaggio della scheda?


Il componente è fornito in un formato PowerPAK ChipFET a 8 pin progettato per il montaggio superficiale per consentire un layout compatto e percorsi termici efficaci.

Il prodotto è conforme alle direttive sulla restrizione dei materiali?


Il componente soddisfa i requisiti RoHS, limitando la presenza di alcune sostanze pericolose nella composizione del dispositivo.

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