MOSFET Vishay, canale Tipo N 20 V, 0.0135 Ω, 25 A, 8 Pin, PowerPAK ChipFET, Superficie SI5442DU-T1-GE3

Codice RS:: 256-7365
Codice costruttore:: SI5442DU-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo N 20 V, 0.0135 Ω, 25 A, 8 Pin, PowerPAK ChipFET, Superficie SI5442DU-T1-GE3

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Codice RS:: 256-7365
Codice costruttore:: SI5442DU-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	25A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	20V
	Tipo di package	PowerPAK ChipFET
	Serie	SI5442DU
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.0135Ω
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	16.6nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	31W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	8V
	Temperatura massima di funzionamento	+150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Altezza	0.85mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 25A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V
	Tipo di package PowerPAK ChipFET
	Serie SI5442DU
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0135Ω
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 16.6nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 31W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8V
	Temperatura massima di funzionamento +150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Altezza 0.85mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - SI5442DU-T1-GE3

MOSFET serie SI5442DU Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 20 V, corrente di drenaggio continua massima 25 A - SI5442DU-T1-GE3

Questo MOSFET è un dispositivo di commutazione a canale N compatto progettato per applicazioni di potenza a montaggio superficiale. È progettato per gestire una corrente continua significativa mentre funziona in un'ampia gamma di temperature, il che lo rende adatto per contesti di controllo industriale e conversione di potenza in cui sono richieste basse perdite di conduzione e commutazione rapida.

Caratteristiche e vantaggi:

• La capacità di corrente continua di 25 A consente la commutazione ad alta corrente
• Rds(on) di 0,0135 Ω riduce al minimo le perdite di conduzione nei percorsi di potenza
• Il valore nominale di drain‐source 20 V supporta le guide di alimentazione a bassa tensione
• La carica di gate tipica di 16,6 nC consente un controllo di commutazione efficiente
• La dissipazione di potenza di 31 W supporta la gestione del carico termico sostenuto
• Vgs massimo 8 V protegge il gate dalla sovratensione durante l'azionamento

Applicazioni

• Adatto per le fasi di potenza dell'azionamento del motore nei sistemi di automazione
• Ideale per convertitori buck sincroni in alimentatori c. c. - c. c.
• Utilizzato per la commutazione di carichi ad alta corrente nei controlli industriali
• Può essere utilizzato per la gestione dell'alimentazione in apparecchiature alimentate a batteria

Quali sono i limiti di funzionamento termico da considerare durante la progettazione?

Il dispositivo è progettato per funzionare da -55 °C a +150 °C, pertanto la gestione termica deve garantire che le temperature di giunzione rimangano all'interno di questa gamma in condizioni di potenza di picco.

Quanti pin e quale stile di montaggio richiede una scheda?

È fornito in un contenitore PowerPAK ChipFET a 8 pin per montaggio superficiale, pertanto il layout del pad e i profili di saldatura devono corrispondere a un ingombro SMD a 8 pin.

Quali vincoli del gate-drive influenzano la selezione del circuito di azionamento?

Il gate non deve essere azionato oltre un massimo di 8 V, pertanto i driver gate e lo spostamento di livello devono limitare i Vgs entro tale soglia per evitare danni.

In che modo i progettisti devono valutare le prestazioni di commutazione per l'uso ad alta frequenza?

Utilizzare il valore di carica gate tipico di 16,6 nC alla tensione gate specificata per calcolare l'energia del driver e le perdite di commutazione quando si determina l'efficienza alle frequenze di commutazione target.