MOSFET Vishay, canale N 30 V, 18.5 mΩ Miglioramento, 11.6 A, 8 Pin, PowerPAK ChipFET, Superficie SI5418DU-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
818-1318
Codice costruttore:
SI5418DU-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

11.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

Si5418DU

Tipo di package

PowerPAK ChipFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

18.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

31W

Tensione diretta Vf

800mV

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.98mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.08mm

Altezza

850μm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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