MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 18.5 mΩ Miglioramento, 11.6 A, 8 Pin, PowerPAK ChipFET, Superficie SI5418DU-T1-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 20 unità*

14,66 €

(IVA esclusa)

17,88 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 25 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
20 - 800,733 €14,66 €
100 - 1800,718 €14,36 €
200 - 4800,586 €11,72 €
500 - 9800,572 €11,44 €
1000 +0,462 €9,24 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
818-1318
Codice costruttore:
SI5418DU-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

11.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

Si5418DU

Tipo di package

PowerPAK ChipFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

18.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

31W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.08mm

Altezza

0.85mm

Larghezza

1.98 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati