MOSFET Vishay, canale N 30 V, 0.04 Ω, 6 A, 8 Pin, PowerPAK ChipFET, Superficie SI5936DU-T1-GE3

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Codice RS:
256-7376
Codice costruttore:
SI5936DU-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK ChipFET

Serie

SI5936DU

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.04Ω

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

10.4W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

850μm

Standard automobilistico

No

MOSFET serie SI5936DU Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 30 V, corrente di drenaggio continua massima 6 A - SI5936DU-T1-GE3


Questo MOSFET è un transistor di commutazione a canale N a montaggio superficiale progettato per attività di gestione dell'alimentazione in assemblaggi elettronici compatti. Funziona in un'ampia gamma di ambienti ed è progettato per applicazioni che richiedono una commutazione efficiente a bassa tensione e una gestione termica in spazi ristretti.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di 30 V consente una robusta capacità di commutazione a bassa tensione
• La corrente continua di 6 A supporta un'erogazione di potenza moderata
• Rds(on) di 0,04 Ω riduce al minimo le perdite di conduzione
• La carica tipica del gate di 3.5 nC consente transizioni di gate rapide
• La dissipazione massima di 10,4 W gestisce carichi termici significativi
• La tolleranza del gate di 20 V consente una scelta flessibile della tensione di azionamento

Applicazioni


• Adatto per l'uso nello stadio di uscita del convertitore CC-CC
• Ideale per la gestione della batteria e il controllo del percorso di alimentazione
• Utilizzato con fasi motore-azionamento per motori a bassa tensione
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico nelle apparecchiature di telecomunicazione
• Adatto per moduli di alimentazione compatti con vincoli di altezza

Quale formato del contenitore è necessario pianificare nel layout del circuito stampato?


Il dispositivo arriva in uno stile a montaggio superficiale PowerPAK ChipFET, pertanto i layout dei tamponi devono corrispondere a un ingombro SMT a basso profilo e consentire vie termiche o versamenti di rame per la diffusione del calore.

In che modo la temperatura influisce sui limiti di funzionamento continuo?


Il componente è specificato per funzionare da -55 °C a +150 °C, ma è necessaria una gestione termica per mantenere la dissipazione di potenza entro i valori nominali a temperature elevate.

Quali sono le considerazioni sull'azionamento del gate per le prestazioni di commutazione?


Richiesta di carica gate moderata

la capacità del driver deve fornire rapidamente la carica tipica di 3,5 nC per ridurre le perdite di commutazione durante il controllo dv/dt.

È adatto per applicazioni automobilistiche?


Non è conforme alle norme automobilistiche, pertanto non deve essere utilizzato nei casi in cui la qualifica automobilistica è obbligatoria.

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