MOSFET Vishay, canale P, 33 mΩ, 9,9 A, PowerPAK ChipFET, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-6326
Codice costruttore:: SI5419DU-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 33 mΩ, 9,9 A, PowerPAK ChipFET, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)

0,186 €

(IVA esclusa)

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Unità	Per unità	Per bobina*
3000 +	0,186 €	558,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 165-6326
Codice costruttore:: SI5419DU-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Documentazione Tecnica

Normative

Paese di origine:: CN

Dettagli prodotto

MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	9,9 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	PowerPAK ChipFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	33 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	31 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	30 nC a 10 V
Lunghezza	3.08mm
Larghezza	1.98mm
Altezza	0.85mm
Minima temperatura operativa	-55 °C