MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 33 mΩ Miglioramento, 9.9 A, 8 Pin, PowerPAK ChipFET, Superficie SI5419DU-T1-GE3

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Codice RS:
165-6326
Codice costruttore:
SI5419DU-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

9.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK ChipFET

Serie

Si5419DU

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

33mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-0.85V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

31W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.98mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.08mm

Altezza

850μm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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