- Codice RS:
- 256-7375
- Codice costruttore:
- SI5517DU-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
999999999 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)
Prezzo per 1pz in confezione da 5
1,038 €
(IVA esclusa)
1,266 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per confezione* |
---|---|---|
5 - 45 | 1,038 € | 5,19 € |
50 - 95 | 0,928 € | 4,64 € |
100 - 245 | 0,728 € | 3,64 € |
250 - 995 | 0,714 € | 3,57 € |
1000 + | 0,47 € | 2,35 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 256-7375
- Codice costruttore:
- SI5517DU-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Il mosfet a canale P Nand 20 V (D-S) da 6 A 8,3 W Vishay Semiconductor a montaggio superficiale le sue applicazioni sono mosfet complementari per dispositivi portatili ideali per i circuiti buck-boost.
MOSFET di potenza TrenchFET
Piccola area di ingombro
Bassa resistenza all'accensione
Profilo sottile da 0,8 mm
Testato al 100% Rg
Piccola area di ingombro
Bassa resistenza all'accensione
Profilo sottile da 0,8 mm
Testato al 100% Rg
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N, P |
Corrente massima continuativa di drain | 6 A |
Tensione massima drain source | 20 V |
Tipo di package | ChipFET PowerPAK |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
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