MOSFET Vishay, canale Tipo P, Tipo N 20 V, 1.4 Ω, 4 A, 8 Pin, ChipFET, Superficie SI5513CDC-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
256-7373
Codice costruttore:
SI5513CDC-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

ChipFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4Ω

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Array mosfet a canale N e P Vishay Semiconductor 20 V 4 A, 3,7 A 3,1 W chipFET 1206-8 a montaggio superficiale senza alogeni in conformità alla definizione IEC 61249-2-21.

MOSFET di potenza TrenchFET

Testato al 100% Rg

Conforme alla direttiva RoHS 2002/95/CE

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