MOSFET Vishay, canale Tipo P, Tipo N 20 V, 1.4 Ω, 4 A, 8 Pin, ChipFET, Superficie
- Codice RS:
- 256-7372
- Codice costruttore:
- SI5513CDC-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
468,00 €
(IVA esclusa)
570,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 08 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,156 € | 468,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 256-7372
- Codice costruttore:
- SI5513CDC-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P, Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | ChipFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.4Ω | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P, Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package ChipFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.4Ω | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Array mosfet a canale N e P Vishay Semiconductor 20 V 4 A, 3,7 A 3,1 W chipFET 1206-8 a montaggio superficiale senza alogeni in conformità alla definizione IEC 61249-2-21.
MOSFET di potenza TrenchFET
Testato al 100% Rg
Conforme alla direttiva RoHS 2002/95/CE
Link consigliati
- MOSFET Vishay Tipo N 20 V 4 A ChipFET, Superficie SI5513CDC-T1-GE3
- MOSFET Vishay Tipo P 30 V 4 A Superficie
- MOSFET Vishay Tipo P 30 V 4 A Superficie SI5504BDC-T1-GE3
- MOSFET Vishay 1.4 Ω 8 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 1.4 Ω 8 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 1.4 Ω 8 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 1.4 Ω 8 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 1.4 Ω 8 Pin Superficie SI5468DC-T1-GE3
