MOSFET Vishay, canale Tipo P 80 V, 82.7 mΩ Miglioramento, 5.4 A, 6 Pin, TSOP, Superficie Si3129DV-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2817
Codice costruttore:
Si3129DV-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

5.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

TSOP

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

82.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

4.2W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza canale P TrenchFET Vishay è utilizzato per la gestione dell'alimentazione di convertitori di carico/c.c. e interruttori di distribuzione di carico portatili e di consumo.

Testato al 100% Rg e UIS

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